[發明專利]GaN襯底和半導體器件

無效

• 申請號: 201110006321.9
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN102148141A
• 公開（公告）日: 2011-08-10
• 發明（設計）人: 藤原伸介;櫻田隆;木山誠;善積祐介
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/20;C30B25/02;C30B29/40
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 孫志湧;穆德駿

1.一種GaN襯底，其具有反向域聚集面積S_tcm²與GaN襯底主面的總共面積Scm²的比率S_t/S，該比率不大于0.5，在沿著作為所述GaN襯底主面的(0001)Ga面上，反向域的密度為Dcm^-2，其中在[0001]方向上的極性相關于矩陣反向的情況下的所述反向域的表面面積為1μm²或更大。

2.如權利要求1中的GaN襯底，其中，所述比率S_t/S為0.2或更小。

3.如權利要求1的GaN襯底，其中，所述比率S_t/S為0.05或更小。

4.如權利要求1的GaN襯底，其中，GaN襯底主面的面積為10cm²或更大。

5.如權利要求1的GaN襯底，其中，通過氣相技術制造所述GaN襯底。

6.如權利要求5的GaN襯底，其中所述氣相技術是HVPE。

7.一種半導體器件，包括至少單層半導體層，該半導體層生長在根據權利要求1-6中的任一項所述的GaN襯底的主面上。

8.一種用于構成半導體器件的GaN襯底，

其中，所述半導體器件包括：

所述GaN襯底，該GaN襯底具有反向域聚集面積S_tcm²與GaN襯底主面的總共面積Scm²的比率S_t/S，該比率不大于0.5，在沿著作為所述GaN襯底主面的(0001)Ga面上，反向域的密度為Dcm^-2，其中在[0001]方向上的極性相關于矩陣反向的情況下的所述反向域的表面面積為1μm²或更大；以及在所述GaN襯底主面上生長的至少單層半導體層，

其中，所述半導體器件主面的面積S_c和反向域密度D的乘積S_c×D小于2.3。

9.一種半導體器件，包括根據權利要求8所述的GaN襯底。