[發明專利]一種基于多能級雜質改變半導體摻雜特性的半導體存儲器

無效

• 申請號: 201110005329.3
• 申請日: 2011-01-12
• 公開（公告）號: CN102169891A
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發明（設計）人: 楊庚雨;黃如;唐昱;鄒積彬
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H01L29/66
• 分類號: H01L29/66;G11C11/34
• 代理公司: 北京萬象新悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11360
• 代理人: 賈曉玲

1.一種半導體存儲器，包括一個N-P-N型或P-N-P-型半導體，其特征在于，在N-P-N型半導體中的一個N型摻雜區或者P型摻雜區中摻入多能級雜質，或在P-N-P-型半導體中的一個P型摻雜區或者N型摻雜區中摻入多能級雜質。

2.如權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，在相應的N型摻雜區或者P型摻雜區中摻雜多能及雜質，摻雜量應滿足當多能及雜質在施主能級和受主能級間轉換時，能夠明顯降低含多能及雜質區與其鄰近區域的電子或者空穴勢壘。

3.如權利要求1所述的半導體存儲器，其特征在于，N-P-N型或P-N-P-型半導體中，在非多能級雜質的N型摻雜區或者P型摻雜區的摻雜濃度在10¹⁵～10²⁰cm^-3之間。