[發明專利]具有快速瞬時響應機制的降壓電路及其運作方法

有效

• 申請號: 201110005211.0
• 申請日: 2011-01-06
• 公開（公告）號: CN102594146A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 李秋平;尹明德
• 申請（專利權）人: 原景科技股份有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，包含：

一高側金屬氧化物半導體晶體管，用以接收一輸入電壓；

一低側金屬氧化物半導體晶體管，連接于該高側金屬氧化物半導體晶體管與一接地電位之間，其中該高側及該低側金屬氧化物半導體晶體管通過一連接點相連接，以于該連接點根據該輸入電壓產生一輸出電壓至一外部負載；

一瞬時控制模塊，連接至該低側金屬氧化物半導體晶體管的柵極；以及

一運作控制模塊，連接至該高側金屬氧化物半導體晶體管的柵極及該低側金屬氧化物半導體晶體管的柵極，以在該外部負載位于一重載狀態而使該瞬時控制模塊抑能時，根據該輸出電壓控制該高側金屬氧化物半導體晶體管以及該低側金屬氧化物半導體晶體管的運作；

其中當該外部負載由該重載狀態轉移至一輕載狀態，而使該輸出電壓升高超過一預設準位時，該瞬時控制模塊被致能，以使該低側金屬氧化物半導體晶體管導通并進行放電以降低該輸出電壓。

2.根據權利要求1所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，當該輸出電壓降低至一特定準位，該瞬時控制模塊被抑能以使該運作控制模塊根據該輸出電壓控制該低側金屬氧化物半導體晶體管的運作。

3.根據權利要求1所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，該運作控制電路包含一運作比較器，以接收一運作參考電壓以及根據該輸出電壓產生的一回授電壓，以產生一比較結果，其中該比較結果為該運作參考電壓以及該回授電壓之差。

4.根據權利要求3所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，該瞬時控制模塊于該比較結果的值小于一瞬時參考電壓時致能，并于該比較結果大于該瞬時參考電壓時抑能。

5.根據權利要求3所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，該瞬時控制模塊于該比較結果的值小于一第一瞬時參考電壓時致能，并于該比較結果大于一第二瞬時參考電壓時抑能。

6.根據權利要求3所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，該回授電壓為該輸出電壓的一分壓。

7.根據權利要求3所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，該運作控制模塊根據該比較結果控制該高側金屬氧化物半導體晶體管以及該低側金屬氧化物半導體晶體管的運作。

8.根據權利要求7所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，該運作控制模塊還包含一波寬調變器以及一運作控制邏輯，以使該運作控制邏輯根據該波寬調變器由該比較結果產生的一控制信號，控制該高側金屬氧化物半導體晶體管以及該低側金屬氧化物半導體晶體管的運作。

9.根據權利要求1所述的具有快速瞬時響應機制的降壓電路，其特征在于，還包含：

一電感，具有連接至該連接點的一第一端以及連接至該外部負載的一第二端；以及

一電容，耦合于該第二端。

10.一種降壓電路運作方法，其特征在于，應用于具有快速瞬時響應機制的一降壓電路中，該降壓電路運作方法包含下列步驟：

判斷連接于該降壓電路的一外部負載位于一重載狀態；

抑能一瞬時控制模塊；

根據該降壓電路提供至該外部負載的一輸出電壓控制該降壓電路的一高側金屬氧化物半導體晶體管以及一低側金屬氧化物半導體晶體管的運作；

判斷該外部負載由該重載狀態轉移至一輕載狀態，而使該輸出電壓升高超過一預設準位；

致能該瞬時控制模塊，以使該低側金屬氧化物半導體晶體管導通并進行放電以降低該輸出電壓。

11.根據權利要求10所述的降壓電路運作方法，其特征在于，還包含一步驟：

于該輸出電壓降低至一特定準位時，抑能該瞬時控制模塊以使該運作控制模塊根據該輸出電壓控制該低側金屬氧化物半導體晶體管的運作。

12.根據權利要求10所述的降壓電路運作方法，其特征在于，還包含一步驟：

接收一運作參考電壓以及接收根據該輸出電壓產生的一回授電壓，以產生一比較結果，其中該比較結果為該運作參考電壓以及該回授電壓之差。

13.根據權利要求12所述的降壓電路運作方法，其特征在于，判斷該外部負載位于該重載狀態的步驟還包含判斷該比較結果的值大于一瞬時參考電壓。