[發(fā)明專(zhuān)利]用于超淺結(jié)注入的離子源裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110004958.4 | 申請(qǐng)日： | 2011-01-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102592934A | 公開(kāi)（公告）日： | 2012-07-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉金彪;張琦輝;宋希明;張浩;李琳;劉強(qiáng);丁明正;李俊峰;趙超 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01J37/317 | 分類(lèi)號(hào)： | H01J37/317;H01J37/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陳紅 |
| 地址： | 100029 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 超淺結(jié) 注入 離子源 裝置 | ||
1.一種離子源裝置，包括：
起弧室；
對(duì)靶濺射裝置，與所述起弧室相鄰；
其特征在于，
所述對(duì)靶濺射裝置包括冷卻裝置，對(duì)靶材進(jìn)行冷卻。
2.如權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其中，所述起弧室與所述對(duì)靶濺射裝置之間的間距可調(diào)。
3.如權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其中，所述冷卻裝置的冷卻液為絕緣冷卻液。
4.如權(quán)利要求3所述的離子源裝置，其中，所述絕緣冷卻液為去離子水。
5.如權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其中，所述對(duì)靶濺射裝置使用射頻電源。
6.如權(quán)利要求5所述的離子源裝置，其中，所述射頻電源的最大頻率為13.56MHz。
7.如權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其中，所述對(duì)靶濺射裝置的濺射工作氣體為不與所述靶材反應(yīng)的氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的離子源裝置，其中，所述不與所述靶材反應(yīng)的氣體包括含氟氣體、惰性氣體或N2。
9.如權(quán)利要求8所述的離子源裝置，其中，所述惰性氣體為Ar。
10.如權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其中，所述靶材為固體材料。
11.如權(quán)利要求10所述的離子源裝置，其中，所述固體材料為壓制的大分子材料。
12.如權(quán)利要求11所述的離子源裝置，其中，所述大分子材料為癸硼烷或十八硼烷。
13.如權(quán)利要求10所述的離子源裝置，其中，所述固體材料為金屬及其合金。
14.如權(quán)利要求13所述的離子源裝置，其中，所述金屬為Sb、In、Al、Ga。
15.如權(quán)利要求1所述的離子源裝置，其中，所述對(duì)靶濺射裝置包括磁體，用于偏轉(zhuǎn)從所述靶材濺射出的靶分子。
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