[發明專利]具有復位功能的靜態隨機存儲單元

無效

• 申請號: 201110004548.X
• 申請日: 2011-01-11
• 公開（公告）號: CN102034533A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 吳利華;韓小煒;趙凱;于芳
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

1.一種具有復位功能的靜態隨機存儲單元，其包括：

一第一反相器，該第一反相器包括第一驅動NMOS晶體管及第一負載PMOS晶體管，該第一驅動NMOS晶體管的柵極端與第一負載PMOS晶體管的柵極端相連，第一驅動NMOS晶體管的漏極端與第一負載PMOS晶體管的漏極端相連；

一第二反相器，該第二反相器包括第二驅動NMOS晶體管及第二負載PMOS晶體管，該第二驅動NMOS晶體管的柵極端與第二負載PMOS晶體管的柵極端相連，第二驅動NMOS晶體管的漏極端與第二負載PMOS晶體管的漏極端相連；

該第一反相器的輸出端與該第二反相器的輸入端相連，該第二反相器的輸出端與該第一反相器的輸入端相連，由此構成交叉耦合的鎖存器，該鎖存器連接在正電源電壓和電源地之間；

一存取NMOS晶體管，其漏極與第一反相器的輸出端相連，其柵極與字線連接，其源極與位線連接；

一復位上拉PMOS晶體管，其漏極與第二反相器的輸出端相連，其柵極連接置數控制線，源極連接正電源電壓；

一復位下拉NMOS晶體管，其漏極與第一反相器的輸出端相連，其柵極連接清零控制線，源極連接電源地。

2.根據權利要求1所述的靜態隨機存儲單元，其中所述字線與電源地線垂直。

3.根據權利要求1所述的靜態隨機存儲單元，其中所述置數控制線與電源地線平行。

4.根據權利要求1所述的靜態隨機存儲單元，其中所述清零控制線與電源地線平行。

5.一種具有復位功能的靜態隨機存儲單元，其包括：

一第一反相器，該第一反相器包括第一驅動NMOS晶體管及第一負載PMOS晶體管，該第一驅動NMOS晶體管的柵極端與第一負載PMOS晶體管的柵極端相連，第一驅動NMOS晶體管的漏極端與第一負載PMOS晶體管的漏極端相連；

一第二反相器，該第二反相器包括第二驅動NMOS晶體管及第二負載PMOS晶體管，該第二驅動NMOS晶體管的柵極端與第二負載PMOS晶體管的柵極端相連，第二驅動NMOS晶體管的漏極端與第二負載PMOS晶體管的漏極端相連；

該第一反相器的輸出端與該第二反相器的輸入端相連，該第二反相器的輸出端與該第一反相器的輸入端相連，由此構成交叉耦合的鎖存器，該鎖存器連接在正電源電壓和電源地之間；

一存取NMOS晶體管，其漏極與第一反相器的輸出端相連，其柵極與字線連接，其源極與位線連接；

一復位上拉PMOS晶體管，其漏極與第二反相器的輸出端相連，其柵極連接置數控制線，源極連接正電源電壓。

6.根據權利要求5所述的靜態隨機存儲單元，其中所述字線與電源地線垂直。

7.根據權利要求5所述的靜態隨機存儲單元，其中所述置數控制線與電源地線平行。

8.一種具有復位功能的靜態隨機存儲單元，其包括：

一第一反相器，該第一反相器包括第一驅動NMOS晶體管及第一負載PMOS晶體管，該第一驅動NMOS晶體管的柵極端與第一負載PMOS晶體管的柵極端相連，第一驅動NMOS晶體管的漏極端與第一負載PMOS晶體管的漏極端相連；

一第二反相器，該第二反相器包括第二驅動NMOS晶體管及第二負載PMOS晶體管，該第二驅動NMOS晶體管的柵極端與第二負載PMOS晶體管的柵極端相連，第二驅動NMOS晶體管的漏極端與第二負載PMOS晶體管的漏極端相連；

該第一反相器的輸出端與該第二反相器的輸入端相連，該第二反相器的輸出端與該第一反相器的輸入端相連，由此構成交叉耦合的鎖存器，該鎖存器連接在正電源電壓和電源地之間；

一存取NMOS晶體管，其漏極與第一反相器的輸出端相連，其柵極與字線連接，其源極與位線連接；

一復位下拉NMOS晶體管，其漏極與第一反相器的輸出端相連，其柵極連接清零控制線，源極連接電源地。

9.根據權利要求8所述的靜態隨機存儲單元，其中所述字線與電源地線垂直。

10.根據權利要求8所述的靜態隨機存儲單元，其中所述清零控制線與電源地線平行。