[發明專利]肖特基接觸型ZnO納米陣列紫外光探測器件的制備方法

無效

• 申請號: 201110004415.2
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102142482A
• 公開（公告）日: 2011-08-03
• 發明（設計）人: 張躍;林偉花;閆小琴;張曉梅;秦子;張錚
• 申請（專利權）人: 北京科技大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/108;H01L31/0224;B81C1/00
• 代理公司: 北京東方匯眾知識產權代理事務所(普通合伙) 11296
• 代理人: 劉淑芬

1.一種肖特基接觸型ZnO納米陣列紫外光探測器件的制備方法，其特征在于：

步驟1.制備一維ZnO納米陣列：

首先在FTO透明導電玻璃上旋涂濃度為0.25~0.5?M的晶種液，接著放入電爐中350~400?℃燒結30~60分鐘，冷卻后放入濃度為0.05?M的生長液中90~95?℃生長20~24小時，得到長度為2~3?um排列整齊的一維ZnO納米陣列，備用；?

步驟2.構建器件：在上述步驟中制得的一維ZnO納米陣列，以分配劑量為5~8?ml/1×2?cm²，旋涂速率為2500~3500?rpm，時間為40~60?s均勻旋涂PMMA光刻膠，旋涂后在150~200℃前烘1~3小時；其中，膠層厚度為500~1000?nm；用氧等離子體對一維ZnO納米陣列頂端的光刻膠在氣壓為10?Pa，功率為50~100?W，O₂流量為20~30?sccm，時間為30~60?s進行刻蝕，使一維ZnO納米陣列頂端露出；其中，刻蝕的厚度為50~100?nm；通過真空鍍膜機在電流為20~30?mA，真空度為8~9?Pa，時間為400~800?s下，在露出的一維ZnO納米陣列頂端進行沉積金屬Pt薄膜，沉積鍍膜厚度為50~100?nm，形成Pt電極；然后在電爐中350~400?℃退火30~60分鐘；最后用導電銀膠從Pt電極和FTO薄膜電極引出Cu導線，即得到肖特基接觸型ZnO納米陣列紫外光探測器件。