[發明專利]低反射融雪抗污太陽能電池組件無效
| 申請號: | 201110004230.1 | 申請日: | 2011-01-11 |
| 公開(公告)號: | CN102157590A | 公開(公告)日: | 2011-08-17 |
| 發明(設計)人: | 金季平 | 申請(專利權)人: | 上海勒卡彭建筑信息咨詢有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/024;H05B3/20 |
| 代理公司: | 上海唯源專利代理有限公司 31229 | 代理人: | 王建國 |
| 地址: | 201700 上海市青浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 反射 融雪 太陽能電池 組件 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池,尤指一種低反射融雪抗污太陽能電池組件。
背景技術
2009年的哥本哈根會議后,以太陽能發電為領軍的綠色能源的使用正在迅速得到發展和普及,然而,太陽能發電受天氣的影響非常大;在我國廣闊的東西北地區以及新疆、西藏等高原區域的太陽能資源非常豐富,晴天時的太陽光照射強度和日照時間都非常充裕,非常適合利用太陽光資源獲取清潔能源,但也就是這些地區,冬季降雪多,太陽能電池被雪覆蓋后完全不能進行發電。因此,保證冬季這些地區及其他降雪量豐富地區的太陽能電池正常發電的方法就在于保證太陽能電池不被積雪覆蓋。
現有的技術是日本夏普公司發展出來的,其是直接用電對太陽能電池心臟部的晶體硅或是薄膜電池進行加熱或使用機械式除雪裝置以達到融除雪的效果;但是如此,機械式裝置無法在暴雪氣候中工作且晶體硅或薄膜電池長時間受電擊有可能容易老化,降低使用效率。
發明內容
本發明的主要目的在于:提供一種避免電流直接沖擊晶體硅或薄膜電池且又具有低反射融雪抗污功能的太陽能電池組件構件。
為達到上述目的,本發明提供一種低反射融雪抗污太陽能電池組件,包含有表面進行過低反射抗污自潔處理的玻璃,上EVA薄膜,晶體硅,下EVA薄膜,背膜,隔熱膜以及背板;其在晶體硅和下EVA薄膜之間加入薄膜電伴熱;
所述晶體硅與薄膜電伴熱之間加入均熱膜;
所述玻璃表面涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜;
一種低反射融雪抗污太陽能電池組件,包含有玻璃,薄膜電池,EVA薄膜,隔熱膜以及背板;其在薄膜電池和EVA薄膜之間加入薄膜電伴熱;
所述薄膜電池與薄膜電伴熱之間加入均熱膜;
所述玻璃表面涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜;
所述薄膜電伴熱采用遠紅外制熱方式;
所述薄膜電伴熱由金屬、合金或碳晶制成;
所述薄膜電池為微晶硅或非晶硅;
所述均熱膜由耐高溫可塑材料制成。
本發明加入了薄膜電伴熱,對其通電加熱從而達到融雪的效果,相較于現有技術直接對晶體硅或薄膜電池通電,有效地保護了晶體硅或薄膜電池;且在晶體硅或薄膜電池與薄膜電伴熱之間加入均熱膜,使薄膜電伴熱通電后產生的熱量均勻地散布于晶體硅或薄膜電池表面,當太陽能電池表面積雪時,通過對薄膜電伴熱通電加熱,使電池表面積雪融化并同積雪層之間產生強力親水層,使得積雪無法滯留在電池表面,無需人工除雪并使得光電轉換率得到最大的保證;其次,由于電池玻璃表面進行過低反射抗污自潔處理,因此可以長時間地保證玻璃表面的清潔,最大限度地保證光電效率轉換并極大地減少維護費用。
附圖說明
圖1為本發明的第一具體實施例的剖面示意圖;以及
圖2為本發明的另一具體實施例的剖面示意圖。
具體實施方式
本發明融雪抗污太陽能電池組件的第一具體實施例,如圖1所示,包含有玻璃12(本發明的玻璃使用表面進行過低反射抗污自潔處理的太陽能電池專用玻璃),上EVA薄膜131,晶體硅14,均熱膜15,薄膜電伴熱16,下EVA薄膜132,背膜17,隔熱膜18以及背板19,上述各層材料在進行層壓后使用邊框20封裝固定;所述太陽能電池專用玻璃12表面上涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜11。
本發明在晶體硅14和下EVA薄膜132之間加入薄膜電伴熱16,對所述薄膜電伴熱16通電,使其加熱并將熱量傳導至太陽能電池專用玻璃12表面對積雪進行融化,相較于現有技術直接對晶體硅通電,避免電流直接對晶體硅14的沖擊,使其受到的負荷降至最低限度,有效地保護了晶體硅,確保出廠時組件整體的設計使用壽命;所述薄膜電伴熱16采用遠紅外制熱方式,發熱快,熱效率高,其可由金屬、合金、碳晶及其他可以制作薄膜電伴熱的材料制成;為了使薄膜電伴熱16通電后產生的熱量均勻地散布于晶體硅14表面,故在所述晶體硅14與薄膜電伴熱16之間加入均熱膜15,該均熱膜15貼合于薄膜電伴熱16表面,且該均熱膜15由IXPE或其他可以制作均熱膜的耐高溫可塑材料制成;所述太陽能電池專用玻璃12表面上涂覆有納米低反射抗污自潔鍍膜11,當太陽能電池專用玻璃12表面發熱并產生親水層后,積雪、污垢就無法停滯在本發明的太陽能電池表面,達到高效除雪抗污的能力。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





