[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結構

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110003969.0
• 申請日: 2011-01-11
• 公開（公告）號: CN102593308A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 方榮熙;許時淵
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/58
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種半導體發(fā)光元件，特別涉及一種發(fā)光二極管的封裝結構。

背景技術

常見的發(fā)光二極管封裝結構均具有一層由樹脂、硅膠等材料制成的封裝層將發(fā)光二極管芯片包覆，用于保護發(fā)光二極管芯片。發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光可透過該封裝層并向外射出。由于封裝層的折射率比大氣的折射率大，當光線的入射角大于臨界角時，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光將在封裝層與大氣的界面發(fā)生全反射，致使光線不能射出至封裝層外，因而影響發(fā)光效率。另一方面，由于越偏離光軸的光線越容易產(chǎn)生全反射，使得該發(fā)光二極管封裝結構在光軸附近的光強度大，而越偏離光軸光線越弱，光線分布不均勻，不利于后端使用。

發(fā)明內容

本發(fā)明旨在提供一種發(fā)光效率高且發(fā)光均勻的發(fā)光二極管封裝結構。

一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片，以及封裝發(fā)光二極管芯片的封裝層，封裝層具有一個出光面，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光從該出光面射出，該出光面上設有微結構，該微結構的設置具有如下規(guī)律中的至少一個：微結構分布的密度與發(fā)光二極管芯片在出光面上的光強度分布呈反比；微結構的尺寸與發(fā)光二極管芯片在出光面上的光強度分布呈反比。

一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片，以及封裝發(fā)光二極管芯片的封裝層，發(fā)光二極管芯片具有一個光軸，封裝層具有一個出光面，發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光從該出光面射出，該出光面上設有微結構，該微結構的設置具有如下規(guī)律中的至少一個：距離光軸越遠，設置在出光面上的微結構分布的密度越大；距離光軸越遠，設置在出光面上的微結構的尺寸越大。

本發(fā)明中的發(fā)光二極管封裝結構在其出光面上設置的微結構依光強度的變化而變化，可更大程度的破壞發(fā)光二極管芯片的光線全反射，同時優(yōu)化出光面的出光均勻性，利于發(fā)光二極管封裝結構的后端使用。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發(fā)明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結構的剖視示意圖。

圖2為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝結構的剖視示意圖。

主要元件符號說明

基板???????????10

電路結構???????12

反射杯?????????14

光軸???????????15

發(fā)光二極管芯片?20

封裝層?????????30

出光面?????????31

熒光粉?????????32

微結構?????????40、42

具體實施方式

請參考圖1，本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結構包括基板10，設置在基板10上的發(fā)光二極管芯片20及封裝發(fā)光二極管芯片20的封裝層30。

基板10的一表面上例如是頂表面上，設有電路結構12。優(yōu)選的，該電路結構12可延伸至基板10的另一表面，例如是底表面。

優(yōu)選的，該基板10的頂表面上還可設有一個反射杯14。該反射杯14的材質可與基板10的材質相同。

發(fā)光二極管芯片20可以是在430nm以上具有發(fā)光峰值波長的氮化鎵系發(fā)光二極管芯片，例如可以是發(fā)藍光的發(fā)光二極管，當然還可以在430nm以下具有發(fā)光峰值波長的氮化鎵系發(fā)光二極管芯片，例如紫外光發(fā)光二極管。

發(fā)光二極管芯片20與電路結構12電連接從而可與外部電源導通，以獲得發(fā)光二極管芯片20工作時所需的電能。發(fā)光二極管芯片20可以覆晶或者打線固晶的方式固定在基板10上。本實施例中，發(fā)光二極管芯片20采用打線固晶的方式固定在基板10的電路結構12上，發(fā)光二極管芯片20的電極通過導線與電路結構12電連接。

優(yōu)選的，發(fā)光二極管芯片20置于反射杯14的底部，并可置于中央位置。發(fā)光二極管芯片20具有一個通過發(fā)光二極管芯片20本身且垂直基板10的光軸15。一般而言，發(fā)光二極管芯片20沿著光軸15正向發(fā)光的光強度較大，而越偏離光軸方向的光強度越小。

封裝層30可以是由樹脂或者硅膠等材料制成，用于封裝發(fā)光二極管芯片20。封裝層30的外表面可大致與反射杯14的開口相平。封裝層30的外表面形成出光面31。發(fā)光二極管芯片20發(fā)出的光線經(jīng)封裝層30的出光面31射出至封裝結構的外部空間。該出光面31可依反射杯14的開口形狀不同而具有不同的形狀，例如可以是圓形、橢圓形、方形等。