[發(fā)明專利]一種非易失性存儲(chǔ)陣列制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110003687.0
• 申請(qǐng)日: 2009-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102110774A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 方糧;孫鶴;池雅慶;朱玄;仲海欽;張超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 國(guó)防科技大學(xué)專利服務(wù)中心 43202
• 代理人: 郭敏

1.一種非易失性存儲(chǔ)陣列的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

第一步，采用光刻、電子束光刻、離子束光刻、聚焦電子束誘導(dǎo)沉積、聚焦離子束誘導(dǎo)沉積、干法刻蝕或濕法刻蝕的方法制備厚度為h2、寬度為d1的下電極（11）；

第二步，采用氧氣氣氛中電子束蒸鍍的方法制備厚度為h3的存儲(chǔ)介質(zhì)層（16）：

蒸鍍?cè)摯鎯?chǔ)介質(zhì)層（16）的靶材為TiO₂；

其中蒸鍍參數(shù)：氧分壓為靶材附近真空度參數(shù)，5×10^-4Pa?至5×10^-2Pa；襯底溫度為室溫到300℃；沉積速率為1??/s到10??/s；

控制氧分壓從開(kāi)始蒸鍍時(shí)的5×10^-4Pa?至1×10^-3Pa之間，到結(jié)束蒸鍍時(shí)的1×10^-3Pa至5×10^-2Pa之間線性變化，沉積速率為1??/s到10??/s；

第三步，采用光刻、電子束光刻、離子束光刻、聚焦電子束誘導(dǎo)沉積、聚焦離子束誘導(dǎo)沉積、干法刻蝕或濕法刻蝕的方法制備厚度為h4、寬度為d2的上電極（14）；

第四步，配置電阻開(kāi)關(guān)單元的電壓極性：

４.１在上電極（14）或下電極（11）施加初始雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)掃描電壓或脈沖電壓，外加電壓使存儲(chǔ)介質(zhì)層（16）的電場(chǎng)強(qiáng)度為10⁶V/cm至10⁸V/cm，同時(shí)限制通過(guò)電阻開(kāi)關(guān)單元的電流，使得電流Ic≤1mA；

４.２施加電壓極性與初始雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電壓相同的掃描或脈沖電壓，電阻開(kāi)關(guān)單元從低阻態(tài)向高阻態(tài)轉(zhuǎn)換；

４.３施加電壓極性與初始雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電壓相反的掃描或脈沖電壓，電阻開(kāi)關(guān)單元由高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)換，電阻開(kāi)關(guān)特性為雙極性。

2.如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)陣列的制備方法，其特征在于第4.1步中施加的脈沖電壓的脈沖寬度為100ms至1s，第4.2步中施加的脈沖電壓的脈沖寬度為10ns至100ms。

3.?如權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)陣列的制備方法，其特征在于4.2步施加電壓極性與初始雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電壓相反的掃描或脈沖電壓，電阻開(kāi)關(guān)單元從高阻態(tài)向低阻態(tài)轉(zhuǎn)換；4.3步施加電壓極性與初始雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電壓相同的掃描或脈沖電壓，電阻開(kāi)關(guān)單元由低阻態(tài)向高阻態(tài)轉(zhuǎn)換。