[發明專利]發光二極管封裝結構及其發光二極管晶粒

有效

• 申請號: 201110003606.7
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102593113A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 黃世晟;凃博閔
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/02;H01L33/42
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技術領域

本發明涉及一種半導體照明裝置，尤其涉及一種發光二極管封裝結構。

背景技術

在現有技術中，發光二極管封裝結構一般需要打金線以將發光二極管晶粒的電極與基板的焊墊電連接，發光二極管晶粒需要設置相應的厚金屬電極及焊球以與金線連接。然而，焊球及厚金屬電極會遮擋光線，從而降低發光二極管晶粒及整個發光二極管封裝結構的出光效率。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種出光效率較高的發光二極管封裝結構及其發光二極管晶粒。

一種發光二極管封裝結構，包括基座及發光二極管晶粒，發光二極管晶粒固定于基座上，該發光二極管晶粒包括基板、半導體發光結構、絕緣層及透明導電層，半導體發光結構為垂直電導通結構，半導體發光結構包括第一電接觸層及第二電接觸層，第一電接觸層及第二電接觸層分別位于半導體發光結構的兩端，基板包括相互絕緣的第一導電區與第二導電區，半導體發光結構的第一電接觸層固定于基板的第二導電區上，透明導電層連接半導體發光結構的第二電接觸層與基板的第一導電區，該透明導電層與基板的第二導電區絕緣，該絕緣層使得透明導電層與半導體發光結構的除第二電接觸層以外的其他部分絕緣。

上述發光二極管封裝結構的發光二極管晶粒的出光一側不必設置遮光的厚金屬電極及焊球，從而提高整個發光二極管封裝結構的出光效率。

一種發光二極管晶粒，該發光二極管晶粒包括半導體發光結構及透明導電層，半導體發光結構為垂直電導通結構，半導體發光結構包括第一電接觸層及第二電接觸層，第一電接觸層及第二電接觸層分別位于半導體發光結構的兩端，該發光二極管晶粒還包括基板及絕緣層，基板包括相互絕緣的第一導電區與第二導電區，半導體發光結構的第一電接觸層固定于基板的第二導電區上，透明導電層連接半導體發光結構的第二電接觸層與基板的第一導電區，該透明導電層與基板的第二導電區絕緣，該絕緣層使得透明導電層與半導體發光結構的除第二電接觸層以外的其他部分絕緣。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1為本發明實施方式中的發光二極管封裝結構的立體示意圖。

圖2為圖1中基座上的焊接區域示意圖。

圖3為圖1中發光二極管晶粒固定于基座上的局部剖面示意圖。

圖4為圖1中的發光二極管封裝結構的電路等效示意圖。

圖5為本發明又一較佳實施方式中的發光二極管晶粒固定于基座上的局部剖面示意圖。

圖6為本發明再一較佳實施方式中的發光二極管封裝結構的局部剖面示意圖。

主要元件符號說明

發光二極管封裝結構??????10、30

焊接區域????????????????100、110

第一焊墊????????????????101、111

第二焊墊????????????????102、112

基座????????????????????11

電路層??????????????????115

金屬線??????????????????116

發光二極管晶粒??????????12、32

封裝體??????????????????13、33

基板????????????????????14、24、34

第一導電區??????????????141、241

第二導電區??????????????142、242

絕緣材料???????????????143

半導體發光結構?????????15、25、35

金屬層?????????????????151

金屬鏡面層?????????????152

P型氮化鎵層????????????153、256

P型氮化鋁鎵層??????????154、255

有源層?????????????????155、254

N型三族氮化物半導體層??156、253

P型三族氮化物半導體層??157、257

絕緣層?????????????????16、26、36

第一窗口???????????????161、261

第二窗口???????????????162、262

透明導電層?????????????17、27、37

第一覆蓋部?????????????171、271