[發明專利]發光二極管晶粒及其制造方法、發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201110003533.1
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102593287A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 黃世晟;凃博閔;林雅雯
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/42;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發光二極管晶粒，包括基板、半導體發光結構、絕緣層及透明導電層，基板包括相互絕緣的第一導電區與第二導電區，半導體發光結構為垂直電導通結構，半導體發光結構包括金屬層及N型三族氮化物半導體層，金屬層及N型三族氮化物半導體層分別位于半導體發光結構的兩端，半導體發光結構的金屬層固定于基板的第二導電區上，其特征在于：透明導電層連接基板的第一導電區與N型三族氮化物半導體層，該絕緣層使得透明導電層與基板的第二導電區絕緣，并且該絕緣層使得透明導電層與半導體發光結構的除N型三族氮化物半導體層以外的其他部分絕緣。

2.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于：絕緣層覆蓋半導體發光結構及基板，絕緣層具有第一窗口及第二窗口，第一窗口位于N型三族氮化物半導體層且使得N型三族氮化物半導體層裸露，第二窗口位于基板的第一導電區且使得第一導電區裸露，透明導電層包括第一覆蓋部、連接部及第二覆蓋部，第一覆蓋部覆蓋絕緣層的第一窗口，第二覆蓋部覆蓋絕緣層的第二窗口，連接部連接于第一覆蓋部與第二覆蓋部之間。

3.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于：該半導體發光結構還包括金屬鏡面層、P型三族氮化物半導體層及有源層，金屬層、金屬鏡面層、P型三族氮化物半導體層、有源層及N型三族氮化物半導體層依次層疊。

4.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于：該基板的第一導電區與第二導電區通過絕緣材料連接。

5.如權利要求1所述的發光二極管晶粒，其特征在于：該絕緣層使得透明導電層與半導體發光結構的側壁絕緣。

6.一種發光二極管晶粒制造方法，其包括以下步驟：

提供基板，該基板包括相互絕緣的第一導電區與第二導電區；

提供半導體發光結構，該半導體發光結構為垂直電導通結構，半導體發光結構包括金屬層及N型三族氮化物半導體層，金屬層及N型三族氮化物半導體層分別位于半導體發光結構的兩端，將半導體發光結構的金屬層固定于基板的第二導電區上；

于基板及半導體發光結構上形成絕緣層；

絕緣層上形成第一窗口及第二窗口，第一窗口位于N型三族氮化物半導體層且使得N型三族氮化物半導體層裸露，第二窗口位于基板的第一導電區且使得第一導電區裸露；

形成透明導電層，透明導電層連接基板的第一導電區與N型三族氮化物半導體層。

7.如權利要求6所述的發光二極管晶粒制造方法，其特征在于：該透明導電層包括第一覆蓋部、連接部及第二覆蓋部，第一覆蓋部覆蓋絕緣層的第一窗口，第二覆蓋部覆蓋絕緣層的第二窗口，連接部連接于第一覆蓋部與第二覆蓋部之間。

8.如權利要求6所述的發光二極管晶粒制造方法，其特征在于：該絕緣層使得透明導電層與基板的第二導電區絕緣，并且該絕緣層使得透明導電層與半導體發光結構的除N型三族氮化物半導體層以外的其他部分絕緣。

9.如權利要求6所述的發光二極管晶粒制造方法，其特征在于：該半導體發光結構還包括金屬鏡面層、P型三族氮化物半導體層及有源層，金屬層、金屬鏡面層、P型三族氮化物半導體層、有源層及N型三族氮化物半導體層依次層疊。

10.一種發光二極管封裝結構，包括基座、發光二極管晶粒及封裝體，發光二極管晶粒固定于基座上，封裝體包覆該發光二極管晶粒，其特征在于：該發光二極管晶粒為權利要求1至5中任意一項所述的發光二極管晶粒。

11.一種發光二極管封裝結構，包括發光二極管晶粒及封裝體，其特征在于：該發光二極管晶粒為權利要求1至5中任意一項所述的發光二極管晶粒，封裝體位于發光二極管晶粒的基板上且包覆該發光二極管晶粒的半導體發光結構、絕緣層及透明導電層。