[發(fā)明專利]準(zhǔn)單能脈沖γ射線源的用途和制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110003337.4
• 申請日: 2011-01-10
• 公開（公告）號: CN102097151A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊海亮;孫劍鋒;邱愛慈;李靜雅;蘇兆鋒;張鵬飛;黃建軍;任書慶;何小平;湯俊萍
• 申請（專利權(quán)）人: 西北核技術(shù)研究所
• 主分類號: G21K7/00
• 分類號: G21K7/00;G21H5/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.準(zhǔn)單能脈沖γ射線源作為光源和/或能量源的用途，其特征在于所述準(zhǔn)單能脈沖γ射線源中能量為6.129MeV的單能γ射線所占的分支比大于97％。

2.權(quán)利要求1所述的用途，其特征在于準(zhǔn)單能脈沖γ射線源中還含有分支比小于0.4％的能量為6.917MeV的γ射線。

3.權(quán)利要求1或2所述的用途，其特征在于準(zhǔn)單能脈沖γ射線源中還含有分支比小于2.7％的能量為7.117MeV的γ射線。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述的用途，其特征在于所述光源用于脈沖射線探測器的能量響應(yīng)、時(shí)間響應(yīng)或核輻射脈沖測試系統(tǒng)標(biāo)定。

5.權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述準(zhǔn)單能脈沖γ射線源的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

使用高功率質(zhì)子束轟擊含¹⁹F的靶，所述質(zhì)子束的質(zhì)子能量Ep＜1MeV。

6.權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于制備步驟還包括：把高壓脈沖加到二極管兩端，形成一個(gè)覆蓋整個(gè)陰極表面的等離子體鞘層，在電場作用下，電子從陰極等離子體進(jìn)入二極管間隙，并被加速后轟擊到陽極上，將陽極加熱，產(chǎn)生陽極等離子體作為所述的質(zhì)子束。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的制備方法，其特征在于所述的質(zhì)子束經(jīng)二極管陰極加速。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于所述的二極管為自箍縮反射質(zhì)子束二極管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于所述的自箍縮反射質(zhì)子束二極管包括：水介質(zhì)(1)，真空與水介質(zhì)隔板(2)，二極管陰極大板(3)，同軸真空磁絕緣傳輸線(4)，二極管陰極外筒(5)，環(huán)狀石墨陰極(6)。

10.制備權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述準(zhǔn)單能脈沖γ射線源的裝置，其中包括自箍縮反射質(zhì)子束二極管，所述的自箍縮反射質(zhì)子束二極管包括：水介質(zhì)(1)，真空與水介質(zhì)隔板(2)，二極管陰極大板(3)，同軸真空磁絕緣傳輸線(4)，二極管陰極外筒(5)，環(huán)狀石墨陰極(6)。