[發(fā)明專利]單片集成的新型雙重突波保護器件及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110003046.5
• 申請日: 2011-01-07
• 公開（公告）號: CN102157518A
• 公開（公告）日: 2011-08-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜巖峰
• 申請（專利權(quán)）人: 北方工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/06;H01L21/8248
• 代理公司: 北京凱特來知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮(zhèn)勇

1.一種單片集成的新型雙重突波保護器件，包括LDMOS器件，其特征在于，還包括二極管組，所述二極管組包括多個以下列方式背靠背串聯(lián)的二極管：

-N-P-…-N-P-N-P-N-…-P-N-；

所述二極管組的一端連接到所述LDMOS器件的漏極，另一端連接到所述LDMOS器件的柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單片集成的新型雙重突波保護器件，其特征在于，所述二極管組在多晶硅薄膜上通過離子注入的方法制作形成。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單片集成的新型雙重突波保護器件，其特征在于，所述二極管組制作在所述LDMOS器件的漏極和柵極之間的柵氧化層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的單片集成的新型雙重突波保護器件，其特征在于，所述LDMOS器件的溝道的寬長比大于或等于10。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的單片集成的新型雙重突波保護器件，其特征在于，所述LDMOS器件的溝道長為5微米，寬為50微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的單片集成的新型雙重突波保護器件，其特征在于，該保護器件有多個相互并聯(lián)。

7.一種權(quán)利要求1至5任一項所述的單片集成的新型雙重突波保護器件的制作方法，其特征在于，在制作完成LDMOS器件后，在所述LDMOS器件的柵極區(qū)域制作二極管組，具體包括步驟：

首先，在所述LDMOS器件的柵氧化層上采用化學(xué)氣相淀積的方法淀積一層多晶硅，厚度為0.5微米到3微米之間，淀積的時候，同步摻雜硼，形成P型多晶硅；

然后，采用光刻方法，在多晶硅上定義出n區(qū)，然后采用離子注入的方法注入磷離子，使該部分形成n區(qū)；

之后，在上面淀積一層鈍化層；

最后，在金屬化的時候，直接將二極管的兩端和LDMOS的柵極、漏極短接在一起。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的單片集成的新型雙重突波保護器件的制作方法，其特征在于，所述硼的摻雜濃度為1018/cm³；所述磷離子的摻雜濃度為1019/cm³。