[發明專利]圖像傳感器及其制造方法

有效

• 申請號: 201110002778.2
• 申請日: 2011-01-07
• 公開（公告）號: CN102593134A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發明（設計）人: 霍介光
• 申請（專利權）人: 格科微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種圖像傳感器，其特征在于，包括形成于襯底上的光電二極管；依次覆蓋于所述光電二極管上的絕緣層和透明導電層；所述透明導電層具有負電壓信號加載端。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述透明導電層的材料為氧化鋅或氧化銦錫。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述透明導電層的厚度在的范圍內。

4.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述絕緣層的材料為二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或其組合。

5.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，所述絕緣層的厚度在的范圍內。

6.如權利要求1所述的圖像傳感器，其特征在于，還包括連接于透明導電層的插塞，所述插塞與外部負電壓信號源相連。

7.一種圖像傳感器的制造方法，其特征在于，提供襯底；在襯底上形成光電二極管；在光電二極管上依次形成絕緣層、透明導電層。

8.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述光電二極管上沉積層間介質層，形成位于所述層間介質層中、電連接于透明導電層的插塞。

9.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述在襯底上形成光電二極管的步驟包括形成MOS管和連接于MOS管的輸出端的光電二極管。

10.如權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述形成MOS管和連接于MOS管的輸出端光電二極管的步驟包括：提供P型的襯底，在所述襯底上形成多個P型阱區，在P型阱區中形成隔離區，所述隔離區之間包括第一區域和第二區域；在第一區域的P型阱區上依次形成柵極電介質、柵極；對第二區域的襯底進行深離子注入，在P型的襯底中形成N型深摻雜區；以柵極為掩模對第一區域的P型阱區進行N型輕摻雜；形成包圍所述柵極電介質及柵極的側墻；以柵極以及側墻為掩模對第一區域的P型阱區進行深離子注入，形成N型摻雜區。

11.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，通過化學氣相沉積法或者爐管方法形成絕緣層。

12.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，通過磁控濺射的方法形成透明導電層。