[發(fā)明專利]血漿分離芯片及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110002620.5 | 申請日: | 2011-01-07 |
| 公開(公告)號: | CN102162815A | 公開(公告)日: | 2011-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李志宏;耿照新;王瑋;鞠衍睿;張靈倩 | 申請(專利權(quán))人: | 北京大學(xué) |
| 主分類號: | G01N35/00 | 分類號: | G01N35/00;B81C1/00 |
| 代理公司: | 北京萬象新悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 賈曉玲 |
| 地址: | 100871*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 血漿 分離 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種血漿分離芯片,其特征在于,芯片上設(shè)有一微型螺旋流體通道,該微流體通道繞行的中心處為進樣口,在上述微流體通道的某一位置內(nèi)側(cè)連接另一同心的微型螺旋流體通道,在兩個微型螺旋流體通道之間設(shè)有多個漸變通道,上述兩個微型螺旋流體通道分別連接兩個不同的出樣口。
2.如權(quán)利要求1所述的血漿分離芯片,其特征在于,所述微流體通道為半圓對扣形式或阿基米德螺線等任意可展開曲線形式,繞行圈數(shù)至少為3圈,每圈的寬度為200-400μm。
3.如權(quán)利要求2所述的血漿分離芯片,其特征在于,所述漸變通道的中心線與兩個螺旋流體通道中心線連接處均構(gòu)成Y型結(jié)構(gòu),夾角10-80度。
4.如權(quán)利要求3所述的血漿分離芯片,其特征在于,每個漸變溝道在內(nèi)側(cè)螺旋流體通道的開口寬度為40-80μm,漸變溝道在位于外側(cè)螺旋流體通道的開口寬度為10-35μm。
5.如權(quán)利要求1所述的血漿分離芯片,其特征在于,所述進樣口的直徑為500-800μm。
6.一種權(quán)利要求1-5任一項所述血漿分離芯片的制備方法,其特征在于,包括步驟:
(1-1)芯片制備;
(a)處理、清洗硅片;
(b)在硅片正面甩光刻膠、前烘、光刻、顯影、后烘;
(c)在硅片正面深刻蝕硅50~100μm,形成微流體通道、漸變通道、進樣口和出樣口;
(1-2)蓋片制備;
(d)將PDMS與其固化劑按10∶1的比例混合,并充分攪拌,用真空泵去除PDMS中的氣泡;
(e)處理、清洗培養(yǎng)皿,并在其表面涂上脫模劑;
(f)將無氣泡的PDMS均澆在培養(yǎng)皿內(nèi),并靜置平坦化,然后在80度烘箱中烘烤30分鐘到1小時;
(g)將固化的PDMS切成與具有微流體通道的硅片同樣大小,并在相應(yīng)的微流體通道進樣口和出樣口位置打若干個通孔;
(1-3)蓋片和芯片鍵合;
(h)將PDMS和硅片鍵合的表面用氧離子處理;
(i)將PDMS和硅片按相應(yīng)的位置進行鍵合,在微流體通道進樣口和出樣口安裝金屬管。
7.一種權(quán)利要求1-5任一項所述血漿分離芯片的制備方法,其特征在于,包括步驟:
(1-1)芯片制備;
(a)處理、清洗硅片;
(b)在硅片正面甩光刻膠、前烘、光刻、顯影、后烘;
(c)在硅片正面深刻蝕硅30~200μm,形成微流體通道、漸變通道、進樣口和出樣口的模具;
(d)將PDMS與其固化劑按10∶1的比例混合,并充分攪拌,用真空泵去除PDMS中的氣泡;
(e)處理、清洗所述模具,并在其表面涂上脫模劑;
(f)將無氣泡的PDMS均澆在模具上,靜置平坦化,然后在80度烘箱中烘烤30分鐘到1小時;
(g)將固化了PDMS從模具上剝離,并切分每個單元;
(1-2)蓋片制備;
(h)處理、清洗培養(yǎng)皿,并在其表面涂上脫模劑;
(i)將無氣泡的PDMS均澆在培養(yǎng)皿內(nèi),靜置平坦化,然后在80度烘箱中烘烤1小時;
(j)將固化的PDMS切成與具有微流體通道的硅片同樣大小,并在相應(yīng)的微流體通道進樣口和出樣口位置打若干個通孔;
(1-3)蓋片和芯片鍵合;
(k)將PDMS的上下兩個鍵合表面用氧離子處理;
(l)將兩片PDMS按相應(yīng)的位置進行鍵合,在進樣口和出樣口安裝金屬管。
8.一種權(quán)利要求1-5任一項所述血漿分離芯片的制備方法,其特征在于,包括步驟:
(1-1)芯片制備;
(a)處理、清洗硅片;
(b)在硅片正面甩光刻膠、前烘、光刻、顯影、后烘;
(c)在硅片正面深刻蝕硅30~200μm,形成微流體通道、漸變通道;
(d)將硅片正面與玻璃陽極鍵合,形成硅玻璃片;
(e)采用干法、濕法或CMP的方法將鍵合后的硅玻璃片背面的硅結(jié)構(gòu)層減薄;
(f)硅片背面甩光刻膠、前烘、光刻、顯影、后烘;
(g)深刻蝕進、出樣口;
(1-2)蓋片制備;
(h)將PDMS與其固化劑按10∶1的比例混合,并充分攪拌,用真空泵去除PDMS中的氣泡;處理、清洗培養(yǎng)皿,并在其表面涂上脫模劑;將無氣泡的PDMS均澆在培養(yǎng)皿內(nèi),并靜置平坦化,然后在80度烘箱中烘烤30分鐘到1小時;
(i)將固化的PDMS切成與具有微流道的硅片同樣大小,并在相應(yīng)的微流體通道進樣口和出樣口位置打若干個通孔;
(1-3)蓋片和芯片鍵合;
(j)PDMS和硅玻璃片鍵合的表面用氧離子處理,鍵合并安裝上進出口的金屬管。
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