[發明專利]一種高去除低劃傷的硅片化學機械拋光組合物及制備方法

有效

• 申請號: 201110002322.6
• 申請日: 2011-01-06
• 公開（公告）號: CN102127373A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 潘國順;李拓;顧忠華;雒建斌;路新春;劉巖
• 申請（專利權）人: 清華大學;深圳市力合材料有限公司;深圳清華大學研究院
• 主分類號: C09G1/02
• 分類號: C09G1/02;H01L21/02
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 童曉琳

1.一種用于硅晶片拋光的拋光組合物，其特征在于，該拋光組合物的主體組成成分為膠體二氧化硅顆粒、有機堿，功能助劑為有機硅類穩定劑、有機硅類分散劑、有機酸螯合劑和潤濕劑；

該拋光組合物中各組分按重量百分比如下：

膠體二氧化硅顆粒：0.5～10wt％；

有機堿：0.01～5wt％；

有機硅分散劑：0.001～1.0wt％；

有機硅穩定劑：0.001～2.0wt％；

有機酸鰲合劑：0.001～2.0wt％；

潤濕劑：0.001～2.0wt％；

其余為去離子水；

所述有機硅類分散劑化學特征如下所示：

R₁R₂R₃Si(R₄)_nY

在此化學式中，R₁、R₂和R₃為疏水性取代基，Y為離子性親水性官能團；其中，R₁、R₂和R₃分別獨立的表示甲基、乙基、甲氧基、乙氧基、硅氧烷基，R₄表示亞烷基，n為1～4之間的整數，Y表示羧酸根、碳酸根、胺基、銨基、磺酸根、膦酸根。

所述有機硅類穩定劑化學特征如下所示：

Y′(CH₂)_mSiX₁X₂X₃

在此化學式中，m為≥0的整數；X₁、X₂和X₃為可水解的基團，Y′表示有機官能團；其中，X₁、X₂和X₃分別獨立的表示氯基、甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、乙酰氧基、酮肟基；Y′表示羥基、乙烯基、氨基、環氧基、甲基丙烯酰氧基、巰基或脲基。

2.根據權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于：所述亞烷基為具備1～4個碳原子的低級亞烷基。

3.根據權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于：R₁、R₂和R₃表示三個相同的取代基或表示不同取代基。

4.根據權利要求1所述的拋光組合物，其特征在于：所述有機硅類分散劑為羧丙基三乙基硅烷((C₂H₅)₃Si(CH₂)₂COOH)，羧丙基三甲基硅烷((CH₃)₃Si(CH₂)₂COOH)，羧丁基三乙基硅烷((C₂H₅)₃Si(CH₂)₂COOH)，丙磺酸基三甲基硅烷[(CH₃)₃Si(CH₂)₃OSO₃H]，異丁磺酸基甲基二硅氧烷基硅烷{[(CH₃)₃SiO]₂Si(CH₃)(CH₂)₃OSO₃H}，氨丙基三乙基硅烷[(C₂H₅)₃Si(CH₂)₃NH₂]中的任意一種或它們的組合。