[發(fā)明專利]疊層有機發(fā)光二極管及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110002142.8
• 申請日: 2011-01-06
• 公開（公告）號: CN102130302A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬東閣;陳永華;田洪坤;耿延侯;閆東航;王利祥
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院長春應用化學研究所
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;C07D409/04;C07D409/14
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波;逯長明

1.一種疊層有機發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

陽極，陰極；

至少兩個置于所述陽極與陰極之間的發(fā)光層；

置于相鄰發(fā)光層之間的電荷產(chǎn)生層，所述電荷產(chǎn)生層為n型有機半導體和p型有機半導體形成的異質(zhì)結(jié)，所述p型有機半導體為噻吩類化合物，所述p型有機半導體的最高占據(jù)分子軌道能級小于6eV，所述p型有機半導體的最高占據(jù)分子軌道能級與所述n型有機半導體的最低未占據(jù)分子軌道能級之差小于1eV。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述p型有機半導體為5，5′-二(2-萘基)-2，2′-聯(lián)噻吩(NaT2)；5，5″-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″-三聯(lián)噻吩(NaT3)；5，5″′-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四聯(lián)噻吩(NaT4)；5，5″″-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′：5″′，2″″-五聯(lián)噻吩(NaT5)；5，5″″′-二(2-萘基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′：5″′，2″″：5″″，2″″′-六聯(lián)噻吩(NaT6)；5，5′-二(2-苯并噻吩基)-2，2′-聯(lián)噻吩(TNT2)；5，5″-二(2-苯并噻吩基)-2，2′：5′，2″-三聯(lián)噻吩(TNT3)；5，5″′-二(2-苯并噻吩基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′-四聯(lián)噻吩(TNT4)；5，5″″-二(2-苯并噻吩基)-2，2′：5′，2″：5″，2″′：5″′，2″″-五聯(lián)噻吩(TNT5)或2，5-順-(4-2苯基)-2噻吩。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光層為依次連接的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述n型有機半導體為C₆₀、C₆₀衍生物或苝衍生物。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述空穴注入層為MoO₃、V₂O₅、WO₃、MoO₃摻雜NPB、V₂O₅摻雜NPB或WO摻雜NPB。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光層的厚度為30～40納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機發(fā)光二極管，其特征在于，所述n型有機半導體的厚度為5～20納米，所述p型有機半導體的厚度為5～20納米。

8.一種權(quán)利要求1～7任意一項所述的疊層有機發(fā)光二極管的制備方法，其特征在于，包括：

在陽極和陰極之間蒸鍍至少兩個發(fā)光層；

在相鄰發(fā)光層之間蒸鍍電荷產(chǎn)生層，所述電荷產(chǎn)生層為n型有機半導體和p型有機半導體形成的異質(zhì)結(jié)，所述p型有機半導體為噻吩類化合物，所述p型有機半導體的最高占據(jù)分子軌道能級小于6eV，所述p型有機半導體的最高占據(jù)分子軌道能級與所述n型有機半導體的最低未占據(jù)分子軌道能級之差小于1eV。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述n型有機半導體的蒸鍍速率為0.05～0.2納米/秒，所述p型有機半導體的蒸鍍速率為0.05～0.2nm/s。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述n型有機半導體的厚度為5～20納米，所述p型有機半導體的厚度為5～20納米。