[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜晶體管、開(kāi)關(guān)電路以及場(chǎng)效應(yīng)晶體管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110002057.1 | 申請(qǐng)日: | 2011-01-06 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102130156A | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 尾關(guān)芳孝;桑原康人;鳥(niǎo)山重隆;池田裕幸 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L29/768 | 分類(lèi)號(hào): | H01L29/768;G09G3/36;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 開(kāi)關(guān)電路 以及 場(chǎng)效應(yīng) 晶體管 | ||
1.一種薄膜晶體管,包括:
半導(dǎo)體層,包括:源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū),其中,所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間;以及
柵電極,與所述溝道區(qū)交疊,其中,所述溝道區(qū)包括被配置為在長(zhǎng)度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中的至少一種的至少一部分溝道寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中,所述溝道寬度的至少第一部分被配置為在所述長(zhǎng)度方向上連續(xù)增大,所述溝道寬度的至少第二部分被配置為在所述長(zhǎng)度方向上連續(xù)減小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中,所述至少一部分溝道寬度被配置為在所述長(zhǎng)度方向上線(xiàn)性增大和線(xiàn)性減小中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中,所述溝道區(qū)包括多個(gè)溝道區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管,其中,所述多個(gè)溝道區(qū)包括具有第一溝道寬度的第一溝道區(qū)和具有第二溝道寬度的第二溝道區(qū),并且其中,所述第一溝道寬度和所述第二溝道寬度被配置為在所述長(zhǎng)度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管,其中,所述多個(gè)溝道區(qū)包括第三溝道區(qū),所述第三溝道區(qū)具有在所述長(zhǎng)度方向上尺寸均勻的第三溝道寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管,其中,所述第三溝道區(qū)設(shè)置在所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管,其中,所述多個(gè)溝道區(qū)中的至少兩個(gè)具有不同的溝道長(zhǎng)度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中,所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分,并且其中,所述源極溝道寬度部分的尺寸大于所述漏極溝道寬度部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中,所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分,并且其中,所述源極溝道寬度部分的尺寸小于所述漏極溝道寬度部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管,其中,所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分,并且其中,所述源極溝道寬度部分與所述漏極溝道寬度部分的尺寸相等。
12.一種開(kāi)關(guān)電路,包括薄膜晶體管,所述薄膜晶體管包括:
半導(dǎo)體層,包括:源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū),其中,所述溝道區(qū)設(shè)置在所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間;
柵電極,其與所述溝道區(qū)交疊,其中,所述溝道區(qū)包括被配置為在長(zhǎng)度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中的至少一種的至少一部分溝道寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述溝道寬度的至少第一部分被配置為在所述長(zhǎng)度方向上連續(xù)增大,所述溝道寬度的至少第二部分被配置為在所述長(zhǎng)度方向上連續(xù)減小。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述至少一部分溝道寬度被配置為在所述長(zhǎng)度方向上線(xiàn)性增大和線(xiàn)性減小中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述溝道區(qū)包括多個(gè)溝道區(qū)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述多個(gè)溝道區(qū)包括具有第一溝道寬度的第一溝道區(qū)以及具有第二溝道寬度的第二溝道區(qū),并且其中,所述第一溝道寬度和所述第二溝道寬度被配置為在所述長(zhǎng)度方向上連續(xù)減小和連續(xù)增大中的至少一種。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述多個(gè)溝道區(qū)包括第三溝道區(qū),所述第三溝道區(qū)具有在所述長(zhǎng)度方向上尺寸均勻的第三溝道寬度。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述第三溝道區(qū)設(shè)置在所述第一溝道區(qū)和所述第二溝道區(qū)之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述多個(gè)溝道區(qū)中的至少兩個(gè)具有不同的溝道長(zhǎng)度。
20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的開(kāi)關(guān)電路,其中,所述溝道寬度包括指向所述源極區(qū)的源極溝道寬度部分以及指向所述漏極區(qū)的漏極溝道寬度部分,并且其中,所述源極溝道寬度部分的尺寸大于所述漏極溝道寬度部分。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開(kāi)參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶(hù)秘密密鑰生成裝置以及查詢(xún)發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開(kāi)參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶(hù)秘密密鑰生成方法以及查詢(xún)發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線(xiàn)探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書(shū)信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書(shū)架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





