[發明專利]一種雙軌相變存儲器及其制備方法

無效

• 申請號: 201110001523.4
• 申請日: 2011-01-06
• 公開（公告）號: CN102122700A
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 吳關平;萬旭東;陳邦明
• 申請（專利權）人: 上海新儲集成電路有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 上海麥其知識產權代理事務所(普通合伙) 31257
• 代理人: 董紅曼

1.一種雙軌相變存儲器，其特征在于，包括下電極（2）、下加熱電極（4）、相變材料層（6）和上電極（7）；所述下電極（2）為栓狀，所述下加熱電極（4）、相變材料層（6）和上電極（7）自下而上地設置在下電極（2）上；所述下加熱電極（4）與相變材料層（6）構成軌道，所述軌道成對出現。

2.如權利要求1所述的雙軌相變存儲器，其特征在于，所述下電極（2）下部連接有二極管或晶體管。

3.如權利要求1所述的雙軌相變存儲器，其特征在于，還包括硅襯底（1）和絕熱材料層（3）；所述硅襯底（1）內設有下電極（2）；所述絕熱材料層（3）設置在所述硅襯底（1）上表面以及下加熱電極（4）與相變材料層（6）的外側壁和內側壁。

4.如權利要求1所述的雙軌相變存儲器，其特征在于，所述相變材料層（6）呈條狀，所述上電極（7）淀積在相變材料層（6）和絕熱材料層（3）的上方。

5.如權利要求1所述的雙軌相變存儲器，其特征在于，所述相變材料層（6）下部通過下加熱電極（4）與下電極（2）達成電性連接，相變材料層（6）上部與上電極（7）達成電性連接。

6.一種如權利要求1所述的雙軌相變存儲器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一，在硅襯底（1）上制備圓孔，孔內淀積下電極材料形成下電極（2），在所述下電極（2）底部連接二極管或晶體管，在硅襯底（1）上表面淀積絕熱材料層（3）；

步驟二，刻除絕熱材料層（3）到下電極（2）止，在下電極（2）上方沉淀下加熱電極材料，并刻除除了絕熱材料層（3）內側壁上的下加熱電極（4）之外的全部電極材料，然后再淀積絕熱材料層（3）)，通過化學機械拋光所述絕熱材料層（3）表面，然后在下加熱電極（4）上方采用BHF溶液表面濕法刻蝕得到雙軌溝道，所述溝道寬度為20～50埃；

步驟三，在所述雙軌溝道內淀積相變材料形成條形的相變材料層（6），所述相變材料層（6）與下加熱電極（4）形成雙軌結構；

步驟四，在相變材料層（6）和絕熱材料層（3）的上方表面淀積上電極材料，并在所述相變材料層（6）正上方刻出上電極（7）。

7.如權利要求6所述的雙軌相變存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟二中淀積下加熱電極（4）是通過CVD化學氣象沉積完成的，用CVD工藝方法直接在內壁上淀積下加熱電極材料；或先在內壁附上一層氧化層（5），然后在淀積下加熱電極材料后再淀積上一層氧化層（5）。

8.如權利要求6所述的雙軌相變存儲器的制備方法，其特征在于，所述步驟三中淀積相變材料層（6）是通過采用PVD磁控濺射方法得到的。