[其他]靜電吸盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201090001116.2
• 申請日: 2010-08-17
• 公開（公告）號: CN203055886U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 成珍一;芮庚煥;吳致源;柳忠烈
• 申請（專利權(quán)）人: 高美科株式會社
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 上海金盛協(xié)力知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31242
• 代理人: 段迎春

1.一種靜電吸盤，包括：?

基體；?

設(shè)置在所述基體上并具有非晶體結(jié)構(gòu)的第一絕緣層；?

設(shè)置在所述第一絕緣層上并產(chǎn)生靜電力的電極層；以及?

設(shè)置在所述電極層上的介電層，?

其中所述介電層包括：?

覆蓋所述電極層并具有非晶體結(jié)構(gòu)的第一介電層；以及?

設(shè)置在所述第一介電層上并具有晶體結(jié)構(gòu)的第二介電層。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述第一介電層具有大約100μm到大約300μm的厚度，并且所述第二介電層具有大約200μm到大約400μm的厚度。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述第一介電層具有大約0.5％到大約2％的孔隙率，并且所述第二介電層具有大約3％到大約7％的孔隙率。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述第一介電層具有大約4μm到大約8μm的表面粗糙度(Ra)，并且所述第二介電層具有大約3μm到大約5μm的表面粗糙度(Ra)。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述第一和第二介電層具有大約至少650Hv的硬度和大約至少14MPa的粘合強(qiáng)度。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述第一和第二介電層具有總和大約10¹⁴Ω·cm到大約10¹⁵Ω·cm的體電阻。?

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中所述電極層覆蓋有所述第一介電層，所述第一介電層覆蓋有所述第二介電層。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，其中第一絕緣層具有大約400μm到大約600μm的厚度。?

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電吸盤，還包括夾持在所述基體和所述電極層之間的第二絕緣層。?

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的靜電吸盤，其中所述第一絕緣層具有大約100μm到大約300μm的厚度，并且所述第二絕緣層具有大約200μm到大約400μm的厚度。?

11.一種靜電吸盤，其包括：?

基體；?

設(shè)置在該基體上的絕緣層；?

設(shè)置在該絕緣層上并產(chǎn)生靜電力的電極層；?

設(shè)在該電極層上并具有非晶體結(jié)構(gòu)的第一介電層；以及?

設(shè)置在該第一介電層上并具有晶體結(jié)構(gòu)的第二介電層。?