[其他]一種半導體器件

有效

• 申請號: 201090000828.2
• 申請日: 2010-09-19
• 公開（公告）號: CN202758852U
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 尹海洲;朱慧瓏;駱志炯
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8238
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

半導體襯底；

SiGe弛豫層，形成在所述半導體襯底上；

半導體外延層，形成在所述SiGe弛豫層上，位于所述SiGe弛豫層上，或者嵌入在所述SiGe弛豫層中；

高K介電層，沉積在所述半導體外延層的整個表面上，形成為有底面的空心柱形；和

金屬柵，填充在由所述高K介電層形成的空心柱形的內部；

所述半導體外延層是Si外延層、Ge外延層、或者SiGe外延層

其中，所述半導體外延層的厚度在5～10nm的范圍內。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：

側墻，沉積在所述SiGe弛豫層上，圍繞所述半導體外延層和所述高K介電層的外周，或者圍繞所述高K介電層的外周；和

層間介電層，沉積在所述SiGe弛豫層上，圍繞所述側墻的外周。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，

所述SiGe弛豫層中Ge原子百分比從鄰近所述半導體襯底的20％逐漸變化為遠離所述半導體襯底的100％。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

所述SiGe弛豫層形成有刻蝕停止層。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，

所述刻蝕停止層具有與所述SiGe弛豫層不同的Ge原子百分比。?