[其他]等離子體反應室的可替換上室部件有效
| 申請號: | 201090000551.3 | 申請日: | 2010-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN202855717U | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發明(設計)人: | 丹尼爾·阿瑟·布朗;杰夫·A·博加特;伊恩·J·肯沃西 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 周文強;李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子體 反應 替換 部件 | ||
1.一種加工半導體襯底的等離子體反應室的可替換上室部件,包括窗口、側氣體輸送系統和/或室頂界面,其中:
該室頂界面包括,單片金屬圓筒,該單片金屬圓筒具有均一直徑的內表面、從該內表面水平延伸的上凸緣以及從該內表面水平延伸的下凸緣;適于密封該等離子體室的介電窗口的上部環狀真空密封面;適于密封該等離子體室的底部部分的下部環狀真空密封面;該圓筒上部的熱質,該熱質由該圓筒的更寬部分限定在該內表面和沿著該上凸緣垂直延伸的外表面之間,該熱質有效保持該內表面的方位溫度均勻,以及該圓筒下部的、有效減少通過下部真空密封面的熱轉移的熱阻風門,該熱阻風門由厚度小于0.25英寸且延伸達該內表面長度的至少25%的薄金屬部分限定;
該窗口包括厚度均一的陶瓷磁盤,至少一個配置成容納溫度監控傳感器的盲孔,適于密封室頂界面上凸緣的真空密封面,以及配置成容納輸送工藝氣體進入該室中心的頂部氣體噴射器的中心孔;以及/或
該氣體輸送系統包括從共用供給器接收調諧氣體的分岔氣體管線,以及配置成讓調諧氣體從該共用供給器等距離流入安裝在該室頂界面側壁上的噴射器的氣體管。
2.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中該氣體輸送系統包括沿該室頂界面對稱排列的8個噴射器,該氣體管線可包括8條氣體管線,其中兩條等長度的主要氣體管線從該共用供給器延伸,兩條等長度的第二氣體管線從該主要氣體管線出口延伸,四條等長度的第三氣體管線從該第二氣體管線出口延伸。?
3.根據權利要求2所述的可替換上室部件,其中該主要氣體管線長于該第二氣體管線,而該第二氣體管線長于該第三氣體管線,該主要氣體管線連于該第二氣體管線的中點,且該第二氣體管線連于該第三氣體管線的中點。
4.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中設計該氣體輸送系統以安裝在室頂界面的外表面中環形槽限定的小容積內。
5.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中該室頂界面的外表面包括環形槽,所述氣體輸送系統完全安裝在環形槽限定的小容積內。
6.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中所述窗口包括上表面的兩個盲孔,配置該孔以在其中安裝感溫探針。
7.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中該窗口包括中心開口,配置該開口以與圓柱形氣體噴射器本體鎖定嚙合,該圓柱形氣體噴射器本體具有傳送工藝氣體到該窗口下該室內的開放空間的中心氣體通道。
8.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中該室頂界面包括上凸緣的凹槽,配置該凹槽以容納提供該窗口和該室頂界面間的真空密封的O-環。
9.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中該窗口包括窗口下部表面上的熱噴氧化釔涂層。
10.根據權利要求1所述的可替換上室部件,其中該室頂界面是陽極化鋁。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





