[發明專利]用于保持晶片的容納裝置有效
| 申請號: | 201080070797.2 | 申請日: | 2010-12-20 |
| 公開(公告)號: | CN103283000B | 公開(公告)日: | 2016-10-26 |
| 發明(設計)人: | M.溫普林格;T.瓦根萊特納;A.菲爾伯特 | 申請(專利權)人: | EV集團E·索爾納有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張濤;劉春元 |
| 地址: | 奧地利圣*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 保持 晶片 容納 裝置 | ||
1.用于容納并且保持晶片的容納裝置,具有下面的特征:
-保持面(1o),
-用于將晶片保持在保持面(1o)處的保持裝置,和
-補償裝置(3,4,5,6),用于對晶片的局部和/或全局變形進行主動的、尤其是局部可控制的、至少部分的補償。
2.根據權利要求1所述的容納裝置,其中通過補償裝置(3,4,5,6)能夠局部地影響保持面(1o)的溫度。
3.根據上述權利要求之一所述的容納裝置,其中通過補償裝置(3,4,5,6)能夠局部地影響保持面(1o)的伸長,尤其是通過在保持面(1o)的背面(1r)處布置優選單獨可操控的壓電元件(4)。
4.根據前述權利要求之一所述的容納裝置,其特征在于,通過所述補償裝置(3,4,5,6)、尤其是通過在Z方向上的優選機械作用能夠局部地影響保持面(1o)的形狀。
5.根據上述權利要求之一所述的容納裝置,其中能夠從保持面(1o)的背面(1r)通過補償裝置(3,4,5,6)局部地、尤其是液動和/或氣動地向保持面(1o)施加壓力。
6.根據上述權利要求之一所述的容納裝置,其中將補償裝置(3,4,5,6)設置為集成、優選嵌入在容納裝置、尤其是保持面(1o)中的多個有源控制元件(3,4,5,6)。
7.根據權利要求6所述的容納裝置,其中能夠單獨地操控每個控制元件(3,4,5,6)或控制元件(3,4,5,6)組。
8.用于將第一晶片與第二晶片對齊的裝置,具有下面的特征:
-用于利用第一晶片的第一伸長圖和/或第二晶片的第二伸長圖和用于分析第一和/或第二伸長圖的分析裝置來求得在將第一晶片與第二晶片連接時由于第一晶片相對于第二晶片的伸長和/或變形而出現的局部對齊誤差的裝置,
-至少一個根據上述權利要求之一的用于容納至少一個晶片的容納裝置,和
-用于在考慮位置圖和/或伸長圖以及同時通過補償裝置的補償的情況下對齊晶片的對齊裝置。
9.用于將第一晶片與第二晶片對齊的方法,具有下面的步驟,尤其是下面的流程:
-檢測第一晶片的第一伸長圖和/或第二晶片的第二伸長圖并且通過分析裝置分析第一和/或第二伸長圖并且求得局部對齊誤差,
-將至少一個晶片容納到根據權利要求1至7之一的容納裝置中,并且
-在考慮位置圖和/或伸長圖以及同時通過補償裝置的補償的情況下對齊晶片。
10.根據權利要求9所述的方法,其中在對齊之后設置尤其再次的、對第一和/或第二晶片的位置圖和/或伸長圖的檢測。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





