[發明專利]用于容納和保持晶片的容納裝置無效
| 申請號: | 201080070689.5 | 申請日: | 2010-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN103238212A | 公開(公告)日: | 2013-08-07 |
| 發明(設計)人: | M.溫普林格;T.瓦根萊特納;A.菲爾貝特 | 申請(專利權)人: | EV集團E·索爾納有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 丁永凡;劉春元 |
| 地址: | 奧地利圣*** | 國省代碼: | 奧地利;AT |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 容納 保持 晶片 裝置 | ||
1.一種用于容納和保持晶片(3)以加工晶片(3)的容納裝置,具有如下特征:
-?用于將晶片(3)容納在晶片的支承面(3a)的保持面(1o),
-?用于保持晶片的保持裝置(2,2'),其中保持裝置(2,2')能夠在活動狀態與不活動狀態之間切換,
其特征在于,
在保持裝置(2,2')的活動狀態中在晶片厚度d在50μm到800μm之間的情況下能夠引起晶片(3)朝著保持面(1o)沿著支承面(3a)的局部變形小于500nm。
2.一種用于容納和保持晶片(3)以加工晶片(3)的容納裝置,具有如下特征:
-?用于將晶片(3)容納在晶片的支承面(3a)的保持面(1o),
-?保持裝置(2,2'),用于通過在晶片(3)的支承面(3a)與晶片(3)的背離支承面(3a)的擠壓面(3o)之間在沿著保持面(1o)分布的具有開口寬度(D)的開口(2)處產生壓力差來保持晶片(3),
其特征在于,
橫向于徑向延伸的開口寬度(D)具有小于500μm的平均凈寬度?。
3.根據權利要求2所述的容納裝置,
其特征在于,
開口(2)在保持面(1o)與開口(2)的內壁(2w)之間的邊緣處具有倒圓部(2r)或棱角。
4.根據上述權利要求之一所述的容納裝置,
其特征在于,
在保持面(1o)上的開口(2,2')的面密度在整個保持面(1o)之上基本上是恒定的。
5.一種根據上述權利要求之一所述的容納裝置的應用,所述應用是用于可精加工或待精加工的接合的晶片的應用。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





