[發明專利]發光二極管封裝件及其制造方法

無效

• 申請號: 201080070299.8
• 申請日: 2010-12-03
• 公開（公告）號: CN103222075A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發明（設計）人: 徐源哲;尹余鎮
• 申請（專利權）人: 首爾OPTO儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/52
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓芳

1.一種發光二極管封裝件，所述發光二極管封裝件包括：

基底，其中，基底限定基底中的具有錐形形狀的腔、形成在腔的上端上的階梯部分和形成在腔的底部中的通孔；

導電膜，其中，導電膜填充通孔并且形成在腔的側表面和底部上；

發光二極管，具有在發光二極管上的熒光層，其中，發光二極管倒裝芯片式地結合到導電膜上；

包封劑，包封腔。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中，導電膜是Al膜或Ag膜。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中，導電膜形成在階梯部分之下。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中，基底是硅基底。

5.如權利要求4所述的發光二極管封裝件，所述發光二極管封裝件還包括形成在基底的在腔之下的區域中的齊納二極管。

6.如權利要求4所述的發光二極管封裝件，其中，發光二極管包括多個發光單元。

7.如權利要求6所述的發光二極管封裝件，所述發光二極管封裝件還包括形成在基底的上部上的整流器。

8.如權利要求7所述的發光二極管封裝件，其中，整流器是二極管橋。

9.一種制造發光二極管封裝件的方法，所述方法包括：

準備絕緣硅基底；

在硅基底中形成腔并在腔的上端中形成階梯部分，其中，發光二極管將被安裝在腔中；

在腔的底部中形成通孔；

在通孔、腔的底部和側表面上形成導電膜；

將發光二極管倒裝芯片式地結合在腔的底部上的導電膜上，其中，發光二極管具有形成在發光二極管上的熒光層；

對腔進行包封。

10.如權利要求9所述的方法，其中，形成導電膜的步驟包括將Al或Ag沉積在腔的底部和側表面上。

11.如權利要求10所述的方法，其中，將導電膜形成在階梯部分之下。

12.如權利要求9所述的方法，所述方法還包括：在形成通孔之后，將齊納二極管形成硅基底上并在腔之下的區域中。

13.如權利要求12所述的方法，其中，通過離子注入形成齊納二極管。

14.如權利要求9所述的方法，其中，發光二極管包括多個發光單元。

15.如權利要求14所述的方法，所述方法還包括在形成腔的步驟之后，在硅基底的上部上形成整流器。

16.如權利要求15所述的方法，其中，通過在基底上橋接二極管來形成整流器。