[發(fā)明專利]包括六邊形晶體的納米結構的光電器件

在審

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• 申請日: 2010-09-09
• 公開（公告）號: CN103283044A
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發(fā)明（設計）人: 金-弗朗索斯·古伊萊莫萊斯;帕·奧爾松;朱利恩·維達爾;亞歷山大·弗勒恩德利奇
• 申請（專利權）人: 法國電力公司;國家科學研究中心;休斯頓大學
• 主分類號: H01L33/18
• 分類號: H01L33/18;H01L33/34;H01L31/036;H01L31/028;H01L31/0312
• 代理公司: 上海天協(xié)和誠知識產權代理事務所 31216
• 代理人: 童錫君

1.一種光電器件，包括：

-第一導電層(22)，

-第二導電層(24)，

-在第一導電層和第二導電層之間的激勵層(26)，其中，

所述激勵層(26)包括選自碳族的元素和元素合金的六邊形類型晶體的納米尺寸結構。

2.根據權利要求1所述的光電器件，其特征在于，所述至少部分六邊形類型晶體的納米結構具有層結構。

3.根據權利要求1或2所述的光電器件，其特征在于，所述至少部分六邊形類型晶體的納米結構具有單纖維結構。

4.根據上述權利要求中任一項所述的光電器件，其特征在于，所述至少部分六邊形類型晶體的納米結構具有點狀結構。

5.根據上述權利要求中任一項所述的光電器件，其特征在于，所述至少部分的六邊形類型晶體的納米結構在至少一個方向上承受應力。

6.根據上述權利要求中任一項所述的光電器件，其特征在于，所述激勵層具有大于或等于10nm以及小于或等于1000nm的厚度。

7.根據上述權利要求中任一項所述的光電器件，其特征在于，所述碳族元素為硅。

8.根據上述權利要求中任一項所述的光電器件，其特征在于，所述第一導體層的電子親和力小于激勵層的電子親和力以及第二導電層的電離能大于激勵層的電離能。

9.根據權利要求8所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件還包括在激勵層和第一導電層之間的第一阻隔層(27)，所具有的電子親和力等于激勵層的電子親和力以及所具有的電離能小于激勵層的電離能，所述光電器件還包括激勵層和第二導電層之間的阻隔層(28)，所具有的電子親和力大于激勵層電子親和力以及所具有的電離能大致等于激勵層的電離能。

10.根據權利要求8或9所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件構成為光電管。

11.根據權利要求8或9所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件構成為光傳感器。

12.根據權利要求1至7中任一項所述的光電器件，其特征在于，所述第一導電層所具有的電子親和力大于激勵層的電子親和力以及所具有的電離能小于激勵層的電離能。

13.根據權利要求12所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件還包括在激勵層和第一導電層之間的第一阻隔層(27)，所具有的電子親和力大致等于導電層的電子親和力以及所具有的電離能小于激勵層的電離能，所述光電器件還包括激勵層和導電層之間的第二阻隔層(28)，所具有的電子親和力大于激勵層電的電子親和力以及所具有的電離能大致等于導電層的電離能。

14.根據權利要求13所述的光電器件，其特征在于，所述第一阻隔層的電子親和力小于第二阻隔層的電子親和力以及第一阻隔層的電離能小于第二阻隔層的電離能。

15.根據權利要求12或13所述的光電器件，其特征在于，所述光電器件為發(fā)光器件，例如發(fā)光二極管或激光器。

16.根據權利要求9、13或14所述的光電器件，其特征在于，所述第一和/或第二阻隔層為非摻雜半導體或絕緣層。