[發明專利]屏蔽電纜

有效

• 申請號: 201080069249.8
• 申請日: 2010-12-16
• 公開（公告）號: CN103119661A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 道格拉斯·B·貢德爾
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: H01B7/08
• 分類號: H01B7/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;李春暉

1.一種屏蔽電纜，包括：

多個導體組，所述多個導體組沿著所述電纜的長度延伸并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜設置在所述電纜的相對的第一側和第二側上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括覆蓋部分和壓緊部分，所述覆蓋部分和所述壓緊部分被布置為使得在橫截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的覆蓋部分組合起來基本上圍繞每一個導體組，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在每一個導體組的每一側上形成所述電纜的壓緊部分；

第一EMI吸收層，所述第一EMI吸收層設置在所述電纜的所述第一側上；和

第一粘合劑層，所述第一粘合劑層在所述電纜的壓緊部分中將所述第一屏蔽膜粘合至所述第二屏蔽膜；

其中：

所述多個導體組包括第一導體組，所述第一導體組包括相鄰的第一絕緣導體和第二絕緣導體，并具有所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的對應第一覆蓋部分以及在所述第一導體組的一側上形成所述電纜的第一壓緊區域的所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的對應第一壓緊部分；

所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆蓋部分之間的最大間距為D；

所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一壓緊部分之間的最小間距為d₁；

d₁/D為小于0.25；

在所述第一絕緣導體和所述第二絕緣導體之間的區域中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述第一覆蓋部分之間的最小間距為d₂；并且

d₂/D為大于0.33。

2.根據權利要求1所述的電纜，其中d₁/D為小于0.1。

3.根據權利要求1所述的電纜，其中所述第一EMI吸收層設置在所述第一屏蔽膜和所述多個導體組之間。

4.根據權利要求1所述的電纜，其中所述第一屏蔽膜設置在所述第一EMI吸收層和所述多個導體組之間。

5.根據權利要求1所述的電纜，還包括設置在所述電纜的所述第二側上的第二EMI吸收層。

6.一種屏蔽電纜，包括：

多個導體組，所述多個導體組沿著所述電纜的長度延伸并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，所述同心部分、所述壓緊部分和所述過渡部分被布置為使得在橫截面中，所述同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述壓緊部分組合起來在所述導體組的兩側上形成所述電纜的壓緊部分，并且所述過渡部分提供所述同心部分與所述壓緊部分之間的逐漸過渡；和

第一EMI吸收層，所述第一EMI吸收層設置在所述多個導體組上；其中

每一個屏蔽膜包括導電層；

所述過渡部分中的第一過渡部分靠近所述一個或多個末端導體中的第一末端導體，并具有被限定為所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的所述導電層、所述同心部分與靠近所述第一末端導體的所述壓緊部分中的第一壓緊部分之間的區域的橫截面積A₁，其中A₁小于所述第一末端導體的橫截面積；并且

每一個屏蔽膜的橫截面以在所述電纜的整個寬度上改變的曲率半徑來表征，屏蔽膜中的每一個在所述電纜的整個寬度上的曲率半徑為至少100微米。

7.根據權利要求6所述的電纜，其中所述橫截面積A₁包括所述第一壓緊部分的邊界作為一條邊界，所述邊界由沿著所述第一壓緊部分的位置限定，在該位置處，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之間的間距d為在所述第一壓緊部分處所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜之間的最小間距d₁的約1.2至約1.5倍。

8.根據權利要求7所述的電纜，其中所述橫截面積A₁包括線段作為一條邊界，所述線段具有在所述第一屏蔽膜的拐點處的第一端點。

9.根據權利要求7所述的電纜，其中所述線段具有在所述第二屏蔽膜的拐點處的第二端點。

10.一種屏蔽電纜，包括：

多個導體組，所述多個導體組沿著所述電纜的長度延伸并沿著所述電纜的寬度彼此間隔開，每一個導體組包括一個或多個絕緣導體；

第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜包括同心部分、壓緊部分和過渡部分，所述同心部分、所述壓緊部分和所述過渡部分被布置為使得在橫截面中，所述同心部分與每一個導體組的一個或多個末端導體基本上同心，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜的壓緊部分組合起來在所述導體組的兩側上形成所述電纜的壓緊區域，并且所述過渡部分提供所述同心部分與所述壓緊部分之間的逐漸過渡；和

第一EMI吸收層，所述第一EMI吸收層設置在所述多個導體組上；其中

所述兩個屏蔽膜中的一者包括同心部分中的第一同心部分、所述壓緊部分中的第一壓緊部分，以及所述過渡部分中的第一過渡部分，所述第一過渡部分將所述第一同心部分連接至所述第一壓緊部分；

第一同心部分具有曲率半徑R₁，過渡部分具有曲率半徑r₁；并且

R₁/r₁在2至15范圍內。