[發明專利]CMOS工藝中的RF開關實現方式在審
| 申請號: | 201080069202.1 | 申請日: | 2010-09-21 |
| 公開(公告)號: | CN103201954A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | Y·哈森;A·莫斯托夫 | 申請(專利權)人: | DSP集團有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/693 | 分類號: | H03K17/693;H04B1/48 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 楊曉光;于靜 |
| 地址: | 以色列赫*** | 國省代碼: | 以色列;IL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | cmos 工藝 中的 rf 開關 實現 方式 | ||
1.一種開關,用于在四個選項之間選擇,所述開關包含至少四個晶體管,其中在任意時刻,至多一個晶體管處于“導通”狀態,其中所述開關是片上開關。
2.根據權利要求1所述的開關,其中所述開關是雙極雙通開關。
3.根據權利要求1所述的開關,其中所述開關用在無繩電話的基站中。
4.根據權利要求2所述的開關,其中所述開關在兩個天線之間以及在發射和接收狀態之間選擇。
5.根據權利要求1所述的開關,其中所述至少四個晶體管中的至少一個是N溝道金屬氧化物半導體(NMOS)晶體管。
6.根據權利要求1所述的開關,還包含至少一個向所述至少四個晶體管中的至少一個提供電壓的控制電路。
7.根據權利要求6所述的開關,其中所述控制電路包含:
用于向至少一個晶體管的漏極提供零或負電壓的組件;
用于向至少一個晶體管的源極提供正電壓的組件;以及
用于向至少一個晶體管的柵極提供交流電壓的組件。
8.根據權利要求1所述的開關,其中所述至少四個晶體管中的至少一個是N溝道金屬氧化物半導體。
9.一種無線通信設備,其具有手持機和基站,所述基站包含:
第一天線和第二天線,所述第一天線和第二天線中的每一個操作為發射和接收數據;以及
開關,用于在發射和接收模式中操作所述第一和第二天線,所述開關包含四個晶體管,所述四個晶體管中的每一個具有其自己的控制電路,所述開關位于所述基站的芯片上。
10.根據權利要求9所述的無線通信設備,其中所述手持機包含具有四個晶體管的開關,所述開關位于所述手持機的芯片上。
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