[發(fā)明專利]用于測試高速直流斷路器的設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080069183.2 | 申請日： | 2010-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN103109199A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | S.J.L.沃爾凱爾特 | 申請（專利權(quán)）人： | 斯泰沃電氣公司 |
| 主分類號： | G01R31/333 | 分類號： | G01R31/333 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 比利*** | 國省代碼： | 比利時;BE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 測試 高速 直流 斷路器 設(shè)備 | ||
1.一種測試高速DC斷路器的測試設(shè)備，包括用于生成在測試時通過高速DC斷路器發(fā)送的高電流的部件，其特征在于，所述用于生成高電流的部件包括用于生成電流脈沖的數(shù)個單元（A），所述數(shù)個單元并聯(lián)互連成電源單元（A’），其中每個單元（A）包括電容器（C1）和開關(guān)（S），該電容器（C1）可與DC電壓源（V）并聯(lián)連接，該開關(guān)（S）以間歇地打開和關(guān)閉來間歇地加載和卸載該電容器（C1），以便生成電流脈沖，所述用于生成高電流的部件包括用于同步不同單元（A）的開關(guān)（S）的間歇打開和關(guān)閉的同步部件（F），從而不同單元（A）的電流脈沖彼此在時間上偏移。
2.如權(quán)利要求1的測試設(shè)備，其特征在于，所述電容器（C1）是超級電容器。
3.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，所述測試設(shè)備包括可并聯(lián)互連的數(shù)個所述電源單元（A’）。
4.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，每個單元（A）的開關(guān)（S）包括一個或多個MOSFET的開關(guān)。
5.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，所述DC電壓源（V）包括一個或多個電池。
6.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，每個單元（A）包括用于控制該單元（A）的開關(guān)（S）的控制電路（E）。
7.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，每個單元（A）包括峰值電流引導(dǎo)（I1）。
8.如權(quán)利要求6和7的測試設(shè)備，其特征在于，所述峰值電流引導(dǎo)（I1）受所述控制電路（E）控制。
9.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，每個單元（A）包括用于測量該單元的輸出處的電流電平的測量裝置（I2）。
10.如權(quán)利要求6和9的測試設(shè)備，其特征在于，所述測量裝置（I2）受所述控制電路（E）的控制。
11.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，所述測試設(shè)備包括用于控制測試設(shè)備的輸出處的總電流電平的控制單元（G）。
12.如權(quán)利要求6和11的測試設(shè)備，其特征在于，每個控制電路（E）受所述控制單元（G）的控制。
13.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，所述測試設(shè)備包括用于測量所述測試設(shè)備的輸出處的總電流電平的測量裝置（I4）。
14.如權(quán)利要求11和13的測試設(shè)備，其特征在于，所述測量裝置受所述控制單元（G）的控制。
15.如在前權(quán)利要求中任一項的測試設(shè)備，其特征在于，所述控制單元（G）以非線性電流分布可以通過所述測試設(shè)備生成的方式被編程。
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