[發明專利]具有處于薄膜片材中且基本垂直于襯底的電極的壓電機構有效
| 申請號: | 201080068874.0 | 申請日: | 2010-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN103069598A | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發明(設計)人: | T.S.克魯斯-烏里貝;P.馬迪洛維奇 | 申請(專利權)人: | 惠普發展公司;有限責任合伙企業 |
| 主分類號: | H01L41/047 | 分類號: | H01L41/047 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 薛峰 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 處于 薄膜 片材中 基本 垂直 襯底 電極 壓電 機構 | ||
1.?一種制造壓電機構的方法,包括:
在襯底上形成第一電極和第二電極,所述第二電極與所述第一電極相間交叉,所述第一電極和所述第二電極具有至少基本垂直于所述襯底的側表面;
在所述襯底上以及相鄰的第一電極和第二電極的所述側表面之間沉積材料以形成薄膜片材,在所述薄膜片材中,所述第一電極和所述第二電極從所述薄膜片材的第一表面朝向所述薄膜片材的與所述第一表面相反的第二表面延伸,
其中,所述薄膜片材將響應通過在所述第一電極和所述第二電極上施加電壓而在所述薄膜片材中感生的電場物理地變形。
2.?根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一電極和所述第二電極被形成在所述襯底上,并且所述材料被沉積在所述襯底上以形成所述薄膜片材,從而使得:
沿著與其上形成有所述第一電極和所述第二電極并且其上沉積有所述材料的所述襯底的表面平行的平面,所述薄膜片材相比于所述第一電極和所述第二電極占據了所述平面的更大部分,并且
沿著所述平面的給定軸線,所述薄膜片材在所述第一和第二電極的側表面之間被極化并且至少基本垂直于所述第一電極和所述第二電極的側表面。
3.?根據權利要求1所述的方法,其中,所述第一電極和所述第二電極的所述側表面與所述襯底成一角度,該角度在70和105度之間。
4.?根據權利要求3所述的方法,其中,所述第一電極和所述第二電極與所述襯底所成的角度在80和85度之間。
5.?根據權利要求1所述的方法,進一步包括:在所述襯底上以及相鄰的第一電極和第二電極的所述側表面之間沉積所述材料以形成所述薄膜片材之前,在所述第一電極和所述第二電極上形成導電層,但并不在暴露于所述第一電極和所述第二電極之間的所述襯底上形成導電層。
6.?根據權利要求5所述的方法,其中,形成所述導電層包括:
在所述第一電極和所述第二電極上并且在暴露于所述第一電極和所述第二電極之間的所述襯底上沉積導電層;
在所述導電層上形成圖案化掩膜層,所述圖案化掩膜層具有與至少所述第一電極和所述第二電極之間的空間相對應的孔;
去除所述掩膜層通過所述圖案化掩膜層的所述孔而暴露之處的所述襯底上的所述導電層,由于所述圖案化掩膜層保護至少在所述第一電極和所述第二電極的所述側表面上的所述導電層,因此所述導電層剩余在至少所述第一電極和所述第二電極的側表面上;以及
去除所述圖案化掩膜層。
7.?根據權利要求1所述的方法,其中,在所述襯底上沉積所述材料以形成所述薄膜片材包括:在所述襯底上沉積所述材料以形成所述薄膜片材,在這一薄膜片材中,所述第一電極和所述第二電極從所述薄膜片材的所述第一表面延伸到所述薄膜片材的所述第二表面。
8.?根據權利要求1所述的方法,進一步包括:至少部分地在所述第一電極和所述第二電極的上表面上形成表面電極,所述表面電極連接到電壓源,通過所述電壓源實現在所述第一電極和所述第二電極上施加電壓。
9.?根據權利要求8所述的方法,其中,至少部分地在所述第一電極和所述第二電極的上表面上形成所述表面電極包括:
對所述薄膜片材進行平坦化以暴露所述第一電極和所述第二電極;
在所述薄膜片材上形成圖案化掩膜層,所述圖案化掩膜層具有暴露出所述第一電極和所述第二電極的孔;
在所述圖案化掩膜層的所述孔中沉積導電材料;以及
去除所述圖案化掩膜層,從而使得剩余的所述導電材料形成所述表面電極。
10.?根據權利要求1所述的方法,其中,在所述襯底上形成所述第一電極和所述第二電極包括:
在所述襯底上沉積導電層;
在所述導電層上形成圖案化掩膜層,所述圖案化掩膜層具有與所述第一電極和所述第二電極相對應的孔;
在所述孔中電化學沉積導電材料,從而使得所述導電材料形成所述第一電極和所述第二電極;以及
去除剩余在所述導電層之上的所述圖案化掩膜層,
其中,所述導電層有助于所述導電材料在所述孔內的電化學沉積。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于惠普發展公司;有限責任合伙企業,未經惠普發展公司;有限責任合伙企業許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201080068874.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





