[發明專利]半導體發光裝置

無效

• 申請號: 201080068429.4
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN103053035A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 大野啟
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體發光裝置，其特征在于：該半導體發光裝置包括形成在基板上且由包括發光層的多個半導體層構成的層疊構造體，所述層疊構造體具有包括設置在該層疊構造體上部的脊構造的光波導，所述光波導被設置成從所述層疊構造體的前端面延伸到后端面，該光波導包括與所述層疊構造體的前端面的法線傾斜著從該前端面延伸的直線波導部和垂直地到達所述層疊構造體的后端面的曲線波導部，所述曲線波導部形成在以該光波導的中心為基準所述層疊構造體的后端面一側。

2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于：

在所述層疊構造體的后端面上形成有層疊了多個介電質膜而形成的高反射率膜。

3.根據權利要求1或2所述的半導體發光裝置，其特征在于：

在所述層疊構造體的前端面上形成有極低反射率膜，該極低反射率膜是一層或者多層介電質膜。

4.根據權利要求1到3中任一項權利要求所述的半導體發光裝置，其特征在于：

在所述層疊構造體的所述直線波導部的周圍部且使所述曲線波導部的切線朝著前端面方向延伸的方向上的區域，形成有防止從所述曲線波導部泄漏的光傳播到所述層疊構造體的前端面的功能部。

5.根據權利要求4所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述功能部是使光發生散射的散射槽部。

6.根據權利要求4所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述功能部是使光發生全反射的直線狀全反射槽部。

7.根據權利要求6所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述直線狀全反射槽部的長邊方向的法線與所述直線波導部的延伸方向所成的角度比臨界角大。

8.根據權利要求4所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述功能部是吸收光的吸收部。

9.根據權利要求4所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述層疊構造體具有側面，該側面的平坦性比該層疊構造體的前端面及后端面低，該側面從所述前端面的法線方向朝著與所述直線波導部相同的方向傾斜著與所述直線波導部并行。

10.根據權利要求9所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述層疊構造體的側面與所述直線波導部平行。

11.根據權利要求1到10中任一項權利要求所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述曲線波導部的曲率半徑在1000μm以上。

12.根據權利要求1到11中任一項權利要求所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述直線波導部與所述層疊構造體的前端面的法線所成的角度在4°以上且布儒斯特角以下。

13.根據權利要求1到12中任一項權利要求所述的半導體發光裝置，其特征在于：

該半導體發光裝置是從所述層疊構造體的前端面射出受激發射光的超輻射發光二極管元件。

14.根據權利要求1到13中任一項權利要求所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述半導體層包括由以Al_xGayIn_1-x-yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)表示的III族氮化物半導體形成的層。

15.根據權利要求1到14中任一項權利要求所述的半導體發光裝置，其特征在于：

所述半導體層是包括由以Al_xGa_yIn_1-x-yAs_zP_1-z(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1、0≤x+y≤1)表示的III-V族化合物半導體形成的層。