[發明專利]用于制造液晶顯示裝置用陣列基板的方法

有效

• 申請號: 201080068296.0
• 申請日: 2010-07-30
• 公開（公告）號: CN103026293A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 李石;崔容碩;尹暎晉;李友蘭
• 申請（專利權）人: 東友FINE-CHEM股份有限公司
• 主分類號: G02F1/136
• 分類號: G02F1/136;C09K13/08
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 張穎玲;徐川

1.一種制造液晶顯示裝置用陣列基板的方法，所述方法包括：

1)使用蝕刻劑組合物蝕刻配置在基板上的銅基金屬層，因此形成柵極；

2)形成使所述柵極絕緣的柵絕緣層；

3)在所述柵絕緣層上形成半導體層；

4)形成使所述半導體層絕緣的絕緣層；

5)在使所述半導體層絕緣的絕緣層上形成銅基金屬層，而且使用所述蝕刻劑組合物蝕刻該銅基金屬層，因此形成源極/漏極；以及

6)形成電連接到所述漏極的像素電極，

其中，1)和5)的所述蝕刻劑組合物按組合物的總重量計包含：a)5～25wt％的過氧化氫(H₂O₂)；b)0.1～5wt％的硫酸；c)0.01～1.0wt％的含氟化合物；d)0.1～5wt％的唑化合物；e)0.1～5wt％的咪唑化合物；以及f)其余為水。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述液晶顯示裝置用陣列基板為薄膜晶體管(TFT)陣列基板。

3.一種蝕刻Cu基金屬層的方法，所述方法包含：

A)在基板上形成Cu基金屬層；

B)在所述Cu基金屬層上選擇性地配置光反應性材料；以及

C)使用蝕刻劑組合物蝕刻所述Cu基金屬層，

其中，所述蝕刻劑組合物按組合物的總重量計包含：a)5～25wt％的過氧化氫(H₂O₂)；b)0.1～5wt％的硫酸；c)0.01～1.0wt％的含氟化合物；d)0.1～5wt％的唑化合物；e)0.1～5wt％的咪唑化合物；以及f)其余為水。

4.一種Cu基金屬層用蝕刻劑組合物，其按組合物的總重量計包含：

a)5～25wt％的過氧化氫(H₂O₂)；

b)0.1～5wt％的硫酸；

c)0.01～1.0wt％的含氟化合物；

d)0.1～5wt％的唑化合物；

e)0.1～5wt％的咪唑化合物；以及

f)其余為水。

5.根據權利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，c)含氟化合物包含選自由NH₄FHF、KFHF、NaFHF、NH₄F、KF以及NaF組成的組中的一種或多種。

6.根據權利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，d)唑化合物包含選自由氨基四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、吡唑以及吡咯組成的組中的一種或多種。

7.根據權利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，e)咪唑化合物包含選自由咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑以及4-丙基咪唑組成的組中的一種或多種。

8.根據權利要求4所述的蝕刻劑組合物，其不包含羧酸與磷酸鹽。

9.根據權利要求4所述的蝕刻劑組合物，其中，所述銅基金屬層為銅的單層或銅合金的單層，包含鉬層與形成在所述鉬層上的銅層的銅-鉬層，或包含鉬合金層與形成在所述鉬合金層上的銅層的銅-鉬合金層。