[發(fā)明專(zhuān)利]III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件、III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080067314.3
• 申請(qǐng)日: 2010-12-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102934302A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高木慎平;善積祐介;片山浩二;上野昌紀(jì);池上隆俊
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/343
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/343
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 謝麗娜;關(guān)兆輝

1.一種III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其包括如下步驟：

形成具有激光器構(gòu)造體的基板產(chǎn)物，該激光器構(gòu)造體包括由六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成且具有半極性主面的基板以及形成于上述半極性主面上的半導(dǎo)體區(qū)域；

刻劃上述基板產(chǎn)物的第1面，形成向上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的a軸方向延伸的刻劃標(biāo)記；以及

在形成上述刻劃標(biāo)記后，支撐上述基板產(chǎn)物的第1區(qū)域，并且不支撐上述基板產(chǎn)物的第2區(qū)域而對(duì)該第2區(qū)域進(jìn)行按壓，由此進(jìn)行上述基板產(chǎn)物的分離，形成另一基板產(chǎn)物及激光條，

上述基板產(chǎn)物由預(yù)定的基準(zhǔn)線(xiàn)分為上述第1及第2區(qū)域的兩區(qū)域，

上述第1及第2區(qū)域彼此相鄰，

上述按壓對(duì)上述基板產(chǎn)物的第2面進(jìn)行，

上述第1面為上述第2面的相反側(cè)的面，

上述半導(dǎo)體區(qū)域位于上述第1面與上述基板之間，

上述激光條具有自上述第1面延伸至上述第2面且通過(guò)上述分離而形成的第1及第2端面，

上述第1及第2端面構(gòu)成該III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的激光諧振器，

上述基板產(chǎn)物包括設(shè)置于上述激光器構(gòu)造體上的陽(yáng)極電極及陰極電極，

上述半導(dǎo)體區(qū)域包括由第1導(dǎo)電型氮化鎵系半導(dǎo)體構(gòu)成的第1包覆層、由第2導(dǎo)電型氮化鎵系半導(dǎo)體構(gòu)成的第2包覆層以及設(shè)置于上述第1包覆層與上述第2包覆層之間的活性層，

上述第1包覆層、上述第2包覆層及上述活性層沿著上述半極性主面的法線(xiàn)軸排列，

上述基板的上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的c軸相對(duì)上述法線(xiàn)軸向上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的m軸方向以角度ALPHA傾斜，

上述第1及第2端面與由上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的m軸及上述法線(xiàn)軸規(guī)定的m-n面交叉。

2.如權(quán)利要求1所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，上述角度ALPHA為45度以上80度以下或100度以上135度以下的范圍。

3.如權(quán)利要求1或2所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，上述角度ALPHA為63度以上80度以下或100度以上117度以下的范圍。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，上述刻劃標(biāo)記沿著由上述法線(xiàn)軸與上述a軸方向規(guī)定的a-n面，自上述第1面向上述第2面的方向延伸。

5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，

在形成上述基板產(chǎn)物的上述步驟中，對(duì)上述基板實(shí)施加工以使上述基板的厚度成為50μm以上，

上述加工為切片或研磨，

上述第2面為通過(guò)上述加工而形成的加工面或包含形成于上述加工面上的電極的面。

6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，

上述刻劃使用激光刻劃器進(jìn)行，

上述刻劃標(biāo)記包含刻劃槽，

上述刻劃槽沿著由上述法線(xiàn)軸與上述a軸方向規(guī)定的a-n面，自上述第1面向上述第2面的方向延伸。

7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，上述半極性主面自{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面及{10-1-1}面中的任一半極性面向m面方向具有-4度以上+4度以下的范圍的傾斜。

8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，上述半極性主面為{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面及{10-1-1}面中的任一面。

9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，上述基板由GaN、AlGaN、AlN、InGaN及InAlGaN中的任一個(gè)構(gòu)成。

10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的III族氮化物半導(dǎo)體激光器元件的制作方法，其中，上述第1及第2端面各自的上述活性層的端面相對(duì)與上述基板的m軸正交的基準(zhǔn)面，在由上述六方晶系III族氮化物半導(dǎo)體的c軸及m軸規(guī)定的第1平面上形成(ALPHA-5)度以上(ALPHA+5)度以下的范圍的角度。