[發明專利]III族氮化物半導體激光器元件、III族氮化物半導體激光器元件的制作方法

在審

• 申請號: 201080067314.3
• 申請日: 2010-12-27
• 公開（公告）號: CN102934302A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 高木慎平;善積祐介;片山浩二;上野昌紀;池上隆俊
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01S5/343
• 分類號: H01S5/343
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 謝麗娜;關兆輝

1.一種III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其包括如下步驟：

形成具有激光器構造體的基板產物，該激光器構造體包括由六方晶系III族氮化物半導體構成且具有半極性主面的基板以及形成于上述半極性主面上的半導體區域；

刻劃上述基板產物的第1面，形成向上述六方晶系III族氮化物半導體的a軸方向延伸的刻劃標記；以及

在形成上述刻劃標記后，支撐上述基板產物的第1區域，并且不支撐上述基板產物的第2區域而對該第2區域進行按壓，由此進行上述基板產物的分離，形成另一基板產物及激光條，

上述基板產物由預定的基準線分為上述第1及第2區域的兩區域，

上述第1及第2區域彼此相鄰，

上述按壓對上述基板產物的第2面進行，

上述第1面為上述第2面的相反側的面，

上述半導體區域位于上述第1面與上述基板之間，

上述激光條具有自上述第1面延伸至上述第2面且通過上述分離而形成的第1及第2端面，

上述第1及第2端面構成該III族氮化物半導體激光器元件的激光諧振器，

上述基板產物包括設置于上述激光器構造體上的陽極電極及陰極電極，

上述半導體區域包括由第1導電型氮化鎵系半導體構成的第1包覆層、由第2導電型氮化鎵系半導體構成的第2包覆層以及設置于上述第1包覆層與上述第2包覆層之間的活性層，

上述第1包覆層、上述第2包覆層及上述活性層沿著上述半極性主面的法線軸排列，

上述基板的上述六方晶系III族氮化物半導體的c軸相對上述法線軸向上述六方晶系III族氮化物半導體的m軸方向以角度ALPHA傾斜，

上述第1及第2端面與由上述六方晶系III族氮化物半導體的m軸及上述法線軸規定的m-n面交叉。

2.如權利要求1所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，上述角度ALPHA為45度以上80度以下或100度以上135度以下的范圍。

3.如權利要求1或2所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，上述角度ALPHA為63度以上80度以下或100度以上117度以下的范圍。

4.如權利要求1至3中任一項所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，上述刻劃標記沿著由上述法線軸與上述a軸方向規定的a-n面，自上述第1面向上述第2面的方向延伸。

5.如權利要求1至4中任一項所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，

在形成上述基板產物的上述步驟中，對上述基板實施加工以使上述基板的厚度成為50μm以上，

上述加工為切片或研磨，

上述第2面為通過上述加工而形成的加工面或包含形成于上述加工面上的電極的面。

6.如權利要求1至5中任一項所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，

上述刻劃使用激光刻劃器進行，

上述刻劃標記包含刻劃槽，

上述刻劃槽沿著由上述法線軸與上述a軸方向規定的a-n面，自上述第1面向上述第2面的方向延伸。

7.如權利要求1至6中任一項所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，上述半極性主面自{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面及{10-1-1}面中的任一半極性面向m面方向具有-4度以上+4度以下的范圍的傾斜。

8.如權利要求1至7中任一項所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，上述半極性主面為{20-21}面、{10-11}面、{20-2-1}面及{10-1-1}面中的任一面。

9.如權利要求1至8中任一項所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，上述基板由GaN、AlGaN、AlN、InGaN及InAlGaN中的任一個構成。

10.如權利要求1至9中任一項所述的III族氮化物半導體激光器元件的制作方法，其中，上述第1及第2端面各自的上述活性層的端面相對與上述基板的m軸正交的基準面，在由上述六方晶系III族氮化物半導體的c軸及m軸規定的第1平面上形成(ALPHA-5)度以上(ALPHA+5)度以下的范圍的角度。