[發明專利]太陽能電池及其制造方法有效
| 申請號: | 201080067145.3 | 申請日: | 2010-10-28 |
| 公開(公告)號: | CN102934236A | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發明(設計)人: | 沈玖奐;樸昶緒;尹必源;秦胤實;金珍圣;崔榮嫮;張在元 | 申請(專利權)人: | LG電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 呂俊剛;劉久亮 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,所述太陽能電池包括:
基板,所述基板包括均勻的第一表面;
發射層,所述發射層設置在所述基板的所述第一表面處;
第一抗反射層,所述第一抗反射層設置在所述發射層的表面上,所述第一抗反射層包括露出所述發射層的一部分的多條第一接觸線;
第一電極,所述第一電極電連接至通過所述多條第一接觸線露出的所述發射層,所述第一電極包括與所述發射層直接接觸的電鍍層;以及
第二電極,所述第二電極設置在所述基板的第二表面上。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述第一電極具有約0.83比1的深寬比。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池,其中,所述多條第一接觸線各自具有約20μm至60μm的寬度。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池,其中,所述多條第一接觸線各自的平面區域是所述發射層的平面區域的約2%至6%。
5.根據權利要求3所述的太陽能電池,其中,所述第一電極具有約20μm至50μm的厚度。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述基板的所述第一表面和所述第二表面被紋理化,以分別形成第一紋理表面和第二紋理表面。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,所述第一抗反射層包括氮化硅層以及設置在所述發射層和所述氮化硅層之間的氧化硅層或氧化鋁層。
8.根據權利要求1所述的太陽能電池,其中,由摻雜有磷(P)的n型硅晶圓形成所述基板。
9.根據權利要求1所述的太陽能電池,所述太陽能電池還包括:
背面場層,所述背面場層設置在所述基板的所述第二表面處;以及
第二抗反射層,所述第二抗反射層設置在所述背面場層的其上沒有設置所述第二電極的表面上。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池,其中,所述第一電極和所述第二電極由不同的材料形成。
11.根據權利要求10所述的太陽能電池,其中,所述第二電極的寬度大于所述第一電極的寬度。
12.根據權利要求10所述的太陽能電池,其中,所述電鍍層包括:金屬種層,所述金屬種層與所述發射層直接接觸并且包含鎳;以及至少一個導電層,所述至少一個導電層設置在所述金屬種層上并且包含從由以下各項組成的組中選出的至少一項:銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、錫(Sn)、鋅(Zn)、銦(In)、鈦(Ti)、金(Au)及其組合;并且
所述第二電極由銀(Ag)形成。
13.根據權利要求10所述的太陽能電池,其中,所述第二抗反射層包括氮化硅層。
14.根據權利要求9所述的太陽能電池,其中,所述第二抗反射層包括露出所述背面場層的一部分的多條第二接觸線。
15.根據權利要求14所述的太陽能電池,其中,所述多條第二接觸線各自具有約40μm至100μm的寬度。
16.根據權利要求14所述的太陽能電池,其中,所述多條第二接觸線各自的平面面積是所述背面場層的平面面積的約5%至15%。
17.根據權利要求14所述的太陽能電池,其中,所述第二電極包括:金屬種層,所述金屬種層與通過所述多條第二接觸線露出所述背面場層直接接觸;以及至少一個導電層,所述至少一個導電層設置在所述金屬種層的背面上。
18.根據權利要求17所述的太陽能電池,其中,所述第一電極和所述第二電極各自的所述金屬種層包含鎳,
其中,所述第一電極和所述第二電極各自的所述至少一個導電層包含從由以下各項組成的組中選出的至少一項:銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、錫(Sn)、鋅(Zn)、銦(In)、鈦(Ti)、金(Au)及其組合。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





