[發明專利]發光元件、圖像顯示裝置和照明裝置

無效

• 申請號: 201080066926.0
• 申請日: 2010-05-26
• 公開（公告）號: CN102907172A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 近藤邦夫;迫勘治朗
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: H05B33/00
• 分類號: H05B33/00;H01L51/50
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 李照明;段承恩

1.一種發光元件，在基材表面上依次層疊有第1電極層、電介質層和第2電極層，

具有：

從第1電極層開始、至少貫穿所述電介質層而到達第2電極層的多個貫穿部、和

覆蓋在所述貫穿部的內表面的至少所述兩電極層間的發光部，

所述貫穿部在所述第1電極層面上的形狀的周長比內含該形狀的最小圓的周長長，

并且，該形狀的最大寬度為0.01μm~5μm。

2.根據權利要求1所述的發光元件，所述貫穿部還貫穿了所述第1電極層。

3.根據權利要求1或2所述的發光元件，所述貫穿部還貫穿了所述第2電極層。

4.根據權利要求1~3的任一項所述的發光元件，在所述第1電極層面上的形狀的周長為0.5μm~25μm。

5.根據權利要求1~4的任一項所述的發光元件，在所述第1電極層面上的形狀的周長為內含該形狀的最小圓的周長的1.15倍~2倍。

6.根據權利要求1~5的任一項所述的發光元件，所述貫穿部在基材表面每1mm²形成有10³個~10⁸個。

7.根據權利要求1~6的任一項所述的發光元件，在所述基材表面的單位面積上存在的所述貫穿部的周長合計為1μm/μm²以上。

8.根據權利要求1~7的任一項所述的發光元件，在所述第1電極層面上的形狀為凹多邊形。

9.根據權利要求1~7的任一項所述的發光元件，在所述第1電極層面上的形狀為頂點部進行了倒角的凹多邊形。

10.根據權利要求8或9所述的發光元件，所述凹多邊形具有8個以上的頂點。

11.根據權利要求8~10的任一項所述的發光元件，所述凹多邊形的邊長相同。

12.根據權利要求1~11的任一項所述的發光元件，在所述第1電極層面上的形狀為具有分形結構的形狀。

13.根據權利要求1~12的任一項所述的發光元件，所述發光部具有至少包含發光體的發光層，所述發光體由有機化合物形成。

14.根據權利要求13所述的發光元件，所述有機化合物為有機金屬配合物。

15.一種圖像顯示裝置，具有權利要求1~14的任一項所述的發光元件。

16.一種照明裝置，具有權利要求1~14的任一項所述的發光元件。