[發明專利]功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201080066906.3
• 申請日: 2010-05-21
• 公開（公告）號: CN102906874A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 畑井彰;田村靜里
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L25/065;H01L25/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 何立波;張天舒

1.一種功率半導體模塊，其特征在于，具有：

第1絕緣性基板，其在兩個表面上形成有導體圖案；

第1晶體管元件，其由寬帶隙半導體形成，安裝在所述第1絕緣性基板的正面；以及

第2晶體管元件，其由寬帶隙半導體形成，安裝在所述第1絕緣性基板的背面。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，還具有：

第1續流二極管元件，其由寬帶隙半導體形成，與所述第1晶體管元件連接；以及

第2續流二極管元件，其由寬帶隙半導體形成，與所述第2晶體管元件連接。

3.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述寬帶隙半導體是SiC。

4.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述導體圖案具有：

第1相間連接用直流電位側導體圖案，其形成在所述第1絕緣性基板的正面；以及

第2相間連接用直流電位側導體圖案，其形成在所述第1絕緣性基板的背面，以與所述第1相間連接用直流電位側導體圖案面對稱的方式，與所述第1相間連接用直流電位側導體圖案相對配置。

5.根據權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述導體圖案具有：

第1元件配置用直流電位側導體圖案，其形成在所述第1絕緣性基板的正面，與所述第1相間連接用直流電位側導體圖案連接，并用于配置所述第1晶體管元件；以及

第2芯片配置用直流電位側導體圖案，其形成在所述第1絕緣性基板的背面，并且與所述第2相間連接用直流電位側導體圖案連接，以與所述第1元件配置用直流電位側導體圖案面對稱的方式，與所述第1元件配置用直流電位側導體圖案相對配置，并用于配置所述第2晶體管元件。

6.根據權利要求4所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述第1及第2相間連接用直流電位側導體圖案，沿著所述第1絕緣性基板的第1邊配置在所述第1絕緣性基板的周緣部。

7.根據權利要求6所述的功率半導體模塊，其特征在于，

還具有第1輸出導體圖案，其沿著所述第1絕緣性基板的與第1邊相對的第2邊，針對各相而分別配置在所述第1絕緣性基板的周緣部。

8.根據權利要求7所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述第1輸出導體圖案配置為，在所述第1絕緣性基板的正面側和背面側彼此面對稱。

9.根據權利要求8所述的功率半導體模塊，其特征在于，

所述第1輸出導體圖案構成為，經由所述第1絕緣性基板的側面，從上下夾持所述第1絕緣性基板。

10.根據權利要求7所述的功率半導體模塊，其特征在于，

還具有緩沖電容器，其配置在所述第1絕緣性基板的側面，與所述第1相間連接用直流電位側導體圖案和所述第2相間連接用直流電位側導體圖案連接。

11.根據權利要求7所述的功率半導體模塊，其特征在于，

還具有接地電位導體，其夾在所述第1相間連接用直流電位側導體圖案和所述第2相間連接用直流電位側導體圖案之間，且配置在所述第1絕緣性基板的內層，經由所述第1絕緣性基板的側面伸出。

12.根據權利要求7所述的功率半導體模塊，其特征在于，具有：

第1伸出用直流電位側導體圖案，其形成在所述第1絕緣性基板的正面，與所述第1相間連接用直流電位側導體圖案連接，并且，沿著所述第1絕緣性基板的與第1邊正交的第3邊配置在所述第1絕緣性基板的周緣部；

第2伸出用直流電位側導體圖案，其形成在所述第1絕緣性基板的背面，與所述第2相間連接用直流電位側導體圖案連接，并且，沿著所述第1絕緣性基板的第3邊配置在所述第1絕緣性基板的周緣部；

第1連接端子，其與所述第1伸出用直流電位側導體圖案連接；

第2連接端子，其與所述第2伸出用直流電位側導體圖案連接；以及

濾波電容器，其配置在所述第1絕緣性基板的側面，與所述第1連接端子和所述第2連接端子連接。