[發明專利]用于將IC晶粒或晶片接合到TSV晶片的雙載體

無效

• 申請號: 201080065830.2
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102844859A
• 公開（公告）日: 2012-12-26
• 發明（設計）人: Y·高橋;M·穆爾圖薩;R·鄧恩;S·S·肖漢
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種形成堆疊電子制品的方法，包含：

使用具有第一脫粘溫度的第一粘合材料，將第一載體晶片安裝到貫穿襯底通孔（TSV）晶片的頂側，所述TSV晶片包括TSV晶粒；

使所述TSV晶片從所述TSV晶片的底側變薄，從而形成變薄TSV晶片，其中所述變薄包括在所述TSV晶片上暴露嵌入的TSV尖端，從而形成暴露的TSV尖端；

使用第二粘合材料將第二載體晶片安裝到所述底側，其中所述第二粘合材料具有高于所述第一脫粘溫度的第二脫粘溫度；

將所述變薄TSV晶片加熱到高于所述第一脫粘溫度的溫度，從而從所述變薄TSV晶片移除所述第一載體晶片；以及

將至少一個第二IC晶粒結合到在所述變薄TSV晶片的所述頂側上的所述TSV晶粒，從而形成包含電子制品的堆疊TSV晶片。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一粘合材料和所述第二粘合材料都包含熱塑性塑料。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述暴露的TSV尖端是從所述變薄TSV晶片的底側突出至少5μm的突出TSV尖端。

4.根據權利要求1所述的方法，進一步包含在所述第二IC晶粒和所述TSV晶片的所述頂側之間提供可固化介電膜即CDF；并且其中所述結合所述第二IC晶粒包含熱壓工藝，所述熱壓工藝在單個工藝步驟中提供壓縮模塑從而從所述CDF形成底部填充，并提供接合以結合所述第二IC晶粒從而形成所述包含電子制品的堆疊TSV晶片。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述形成所述包含電子制品的堆疊TSV晶片進一步包含在所述第二IC晶粒的所述結合之后，用底部填充材料或不導電膠進行底部填充。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述結合所述第二IC晶粒包含倒裝結合。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述第二IC晶粒包含多個TSV，并且其中所述結合所述第二IC晶粒包含所述第二IC晶粒的面向上結合。

8.根據權利要求1所述的方法，進一步包含：

從所述包含電子制品的堆疊TSV晶片移除所述第二載體晶片；以及

將所述包含電子制品的堆疊TSV晶片鋸切，從而形成多個單個化的堆疊IC晶粒。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包含：

將所述多個單個化的堆疊IC晶粒的至少一個結合到在其上具有平面焊盤的封裝襯底，以及

用底部填充材料或不導電膠進行毛細管底部填充。

10.根據權利要求8所述的方法，其中所述暴露的TSV尖端是從所述變薄TSV晶片的所述底側突出至少5μm的突出TSV尖端，所述方法進一步包含：

在所述鋸切之前在所述突出TSV尖端上提供可固化介電膜即CDF，

在其上具有平面焊盤的封裝襯底上放置所述多個單個化的堆疊IC晶粒的至少一個，以及

包含熱壓工藝的結合，所述熱壓工藝在單個工藝步驟中提供壓縮模塑從而從所述CDF形成底部填充，并提供接合從而將所述單個化的堆疊IC晶粒的所述突出TSV尖端結合到所述封裝襯底的所述平面焊盤。

11.根據權利要求1所述的方法，進一步包含：

形成模具層，包含在所述結合所述第二IC晶粒之后將模具材料二次模塑，從而覆蓋所述第二IC晶粒；

從所述包含電子制品的堆疊TSV晶片移除所述第二載體晶片，以及

將所述包含電子制品的堆疊TSV晶片鋸切，從而形成多個單個化的堆疊IC晶粒。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包含將所述多個單個化的堆疊IC晶粒的至少一個結合到在其上具有平面焊盤的封裝襯底，以及然后用底部填充材料或不導電膠進行毛細管底部填充。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述暴露的TSV尖端是從所述變薄TSV晶片的所述底側突出至少5μm的突出TSV尖端，所述方法進一步包含：

在所述晶片鋸切之前在所述突出TSV尖端上提供可固化介電膜即CDF，

在其上具有平面焊盤的封裝襯底上放置所述多個單個化的堆疊IC晶粒的至少一個，以及

包含熱壓工藝的第二結合，所述熱壓工藝在單個工藝步驟中提供壓縮模塑從而從所述CDF形成底部填充，并提供接合從而將所述突出TSV尖端結合到封裝襯底的所述平面焊盤。