[發明專利]化合物半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201080064528.5
• 申請日: 2010-03-01
• 公開（公告）號: CN102763204A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 山田敦史
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L21/338
• 分類號: H01L21/338;H01L29/778;H01L29/812;H03F1/32
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李偉;王軼

1.一種化合物半導體裝置，其特征在于，包含：

基板；

在所述基板的上方形成的化合物半導體層；

在所述化合物半導體層的上方形成的柵電極；

在所述化合物半導體層的上方形成，并與所述柵電極之間形成電流路徑的柵極焊盤；

在所述化合物半導體層的上方形成的進行自發極化的半導體層；和

在所述半導體層上形成的柵極連接層；

所述柵極連接層與所述柵電極電連接。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述化合物半導體層具有電子渡越層、和在所述電子渡越層的上方形成的電子提供層，

所述柵極連接層在所述電子提供層的上方隔著所述半導體層配置。

3.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述化合物半導體層具有電子渡越層，在所述電子渡越層的上方形成有電子提供層，

所述柵極焊盤與在所述電子渡越層的上方并形成在所述電子提供層的非形成區域的焊盤連接層連接，并且，

所述柵極連接層在所述電子渡越層的上方隔著作為所述半導體層發揮功能的所述電子提供層配置。

4.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述柵電極相對所述柵極焊盤為負的電位，所述柵電極的閾值為正電位。

5.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述半導體層由氮化物半導體構成。

6.根據權利要求5所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述氮化物半導體是從GaN、AlN、InN、AlGaN、InGaN、InAlN、InAlGaN中選出的一種。

7.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述半導體層由氧化物半導體構成。

8.根據權利要求7所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述氧化物半導體由ZnO或者ZnMgO構成。

9.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其特征在于，

所述半導體層是層疊構造。

10.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其特征在于，還包含：

在所述化合物半導體層的上方形成的源電極以及漏電極；和

對所述柵電極與所述源電極之間以及所述柵電極與所述漏電極之間分別進行填埋的其他半導體層。

11.一種化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在基板的上方形成化合物半導體層，

在所述化合物半導體層的上方形成柵電極，

在所述化合物半導體層的上方形成與所述柵電極之間形成電流路徑的柵極焊盤，

在所述化合物半導體層的上方形成進行自發極化的半導體層，

在所述半導體層上形成柵極連接層，

所述柵極連接層與所述柵電極電連接。

12.根據權利要求11所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述化合物半導體層具有電子渡越層和在述電子渡越層的上方形成的電子提供層，

所述柵極連接層在所述電子提供層的上方隔著所述半導體層配置。

13.根據權利要求11所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述化合物半導體層具有電子渡越層，在所述電子渡越層的上方形成有電子提供層，

所述柵極焊盤與在所述電子渡越層的上方并形成在所述電子提供層的非形成區域的焊盤連接層連接，并且，

所述柵極連接層在所述電子渡越層的上方隔著作為所述半導體層發揮功能的所述電子提供層配置。

14.根據權利要求11所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述半導體層由氮化物半導體構成。

15.根據權利要求14所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述氮化物半導體是從GaN、AlN、InN、AlGaN、InGaN、InAlN、InAlGaN中選出的一種。

16.根據權利要求11所述的化合物半導體裝置的制造方法，其特征在于，

所述半導體層由氧化物半導體構成。