[發明專利]背面場型異質結太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201080064209.4
• 申請日: 2010-12-17
• 公開（公告）號: CN102763227A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 梁秀美;盧星奉;宋錫鉉
• 申請（專利權）人: 現代重工業株式會社
• 主分類號: H01L31/042
• 分類號: H01L31/042
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種背面場異質結太陽能電池，包括：

第一導電晶體硅基板；

本征層和第一導電非晶硅層，所述本征層和所述第一導電非晶硅層依次形成在所述基板的正面上；

防反射膜，所述防反射膜形成在所述第二導電非晶硅上；

第一導電結區域和第二導電結區域，所述第一導電結區域和所述第二導電結區域從所述基板的背面形成，直至進入所述基板中達到預先設定的深度；以及

第一導電電極和第二導電電極，所述第一導電電極和所述第二導電電極分別設置在所述第一導電結區域和所述第二導電結區域上，

其中所述第一導電電極和所述第二導電電極交替布置。

2.根據權利要求1所述的背面場異質結太陽能電池，進一步包括設置在所述第一導電非晶硅層和所述防反射膜之間的緩沖層。

3.一種背面場異質結太陽能電池的制造方法，所述方法包括以下步驟：

制備第一導電晶體硅基板；

在所述基板的背面中形成交替布置的第一導電結區域和第二導電結區域；

在所述基板的正面上依次層疊本征層和第一導電非晶硅層；

在所述第一導電非晶硅層上形成防反射膜；和

在所述第一導電結區域和所述第二導電結區域上分別形成第一導電電極和第二導電電極。

4.根據權利要求3所述的背面場異質結太陽能電池的制造方法，其中所述形成第一導電結區域或者第二導電結區域的步驟包括：

在所述基板的所述背面上形成印網掩膜，從而選擇性地暴露所述基板的將要被形成所述第一導電結區域或者所述第二導電結區域的區域；

將第一導電液體雜質或者第二導電液體雜質涂覆在所述基板的所述正面和所述印網掩模上；和

通過對所述基板進行熱處理來形成第一導電結區域或者第二導電結區域。

5.根據權利要求3所述的背面場異質結太陽能電池的制造方法，在所述形成防反射膜的步驟之前，該方法進一步包括以下步驟：

在所述第一導電非晶硅層上形成緩沖層。