[發(fā)明專利]改進(jìn)的多結(jié)點(diǎn)LED

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201080064139.2
• 申請(qǐng)日: 2010-12-23
• 公開（公告）號(hào): CN102770976A
• 公開（公告）日: 2012-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·哈斯奈恩;S·D·萊斯特;S-y·胡;J·拉默
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 普瑞光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/44
• 分類號(hào): H01L33/44;H01L33/36;H01L33/62
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 吳立明

1.一種光源，包括：

一個(gè)基板；

一個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)沉積在所述基板上；

一個(gè)屏障體，該屏障體將所述發(fā)光結(jié)構(gòu)分成第一和第二區(qū)段；

一個(gè)串聯(lián)電極，該串聯(lián)電極將所述第一區(qū)段與所述第二區(qū)段串聯(lián)連接在一起；以及

一個(gè)第一阻擋二極管，該第一阻擋二極管位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述基板之間；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)光時(shí)，所述第一阻擋二極管防止了電流在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述基板之間流動(dòng)，

其中所述屏障體延伸穿過所述發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)入所述第一阻擋二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的光源，其中所述基板包括一個(gè)半導(dǎo)體材料的過渡層，該過渡層對(duì)于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的光是透明的，并且其中所述屏障體包括延伸通過所述發(fā)光結(jié)構(gòu)并且終止于所述過渡層內(nèi)的一個(gè)溝道。

3.如權(quán)利要求1所述的光源，進(jìn)一步包括一個(gè)第二阻擋二極管，該第二阻擋二極管位于所述第一阻擋二極管與所述基板之間；在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)光時(shí)，所述第二阻擋二極管防止了電流在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述基板之間流動(dòng)。

4.如權(quán)利要求1所述的光源，其中所述串聯(lián)電極包括橫跨所述屏障體的多個(gè)隔離的導(dǎo)體。

5.如權(quán)利要求2所述的光源，其中所述屏障體基本上不阻礙在所述過渡層內(nèi)行進(jìn)的光。

6.如權(quán)利要求2所述的光源，其中所述串聯(lián)電極包括沉積在所述溝道內(nèi)的一個(gè)導(dǎo)電材料層，所述溝道具有一個(gè)絕緣層，該絕緣層防止了所述導(dǎo)電材料層直接與暴露在所述溝道內(nèi)的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的多個(gè)壁相接觸。

7.如權(quán)利要求2所述的光源，包括一個(gè)絕緣層，該絕緣層位于處在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上方的所述串聯(lián)電極的一部分之下。

8.如權(quán)利要求1所述的光源，其中所述半導(dǎo)體材料包括來自所述GaN材料族的多種材料。

9.一種用于制造光源的方法，所述方法包括：

在一個(gè)基板上沉積一個(gè)過渡層，該過渡層包括一種具第一導(dǎo)電性類型的半導(dǎo)體材料；

在所述過渡層上沉積一個(gè)具相反導(dǎo)電性類型的阻擋二極管層；

在所述阻擋二極管層上沉積一個(gè)發(fā)光結(jié)構(gòu)；

產(chǎn)生一個(gè)屏障體，該屏障體將所述發(fā)光結(jié)構(gòu)分成第一和第二區(qū)段；并且

沉積一個(gè)串聯(lián)電極，該串聯(lián)電極將所述第一和第二基板串聯(lián)連接，其中所述屏障體延伸通過所述發(fā)光結(jié)構(gòu)進(jìn)入所述第一阻擋二極管層，所述阻擋二極管層在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生光時(shí)防止了電流從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)流入所述基板。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述屏障體是通過蝕刻出一個(gè)延伸通過所述發(fā)光結(jié)構(gòu)到達(dá)所述過渡層但是未到達(dá)所述基板的溝道來產(chǎn)生的。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中沉積所述串聯(lián)電極包括：在所述溝道內(nèi)沉積一個(gè)絕緣層，并且在所述溝道內(nèi)在所述絕緣層上沉積一個(gè)導(dǎo)電材料層，所述絕緣層防止了所述導(dǎo)電材料層直接與暴露在所述溝道內(nèi)的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的多個(gè)壁相接觸。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述絕緣層位于處在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上方的所述串聯(lián)電極的一部分之下。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述基板半導(dǎo)體層包括具有所述相反導(dǎo)電性類型的多個(gè)層，這些層被安排成使得所述多個(gè)層在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)產(chǎn)生光時(shí)包括多個(gè)串聯(lián)連接的相反偏壓的二極管。