[發(fā)明專利]碳/隧穿-勢壘/碳二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080063987.1
• 申請日: 2010-12-08
• 公開（公告）號: CN102870246A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A.班德約帕德亞伊;F.克魯普爾;A.米尼亞;肖立
• 申請（專利權(quán)）人: 桑迪士克3D有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種二極管，包括：

第一區(qū)，主要包括元素碳(242)；

第二區(qū)，主要包括元素碳(246)；以及

第三區(qū)，包括提供第一區(qū)和第二區(qū)之間的隧穿-勢壘的至少一種材料(244)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的二極管，其中，在所述第一區(qū)中的元素碳主要包括sp2鍵合的碳，且在所述第二區(qū)中的元素碳主要包括sp2鍵合的碳。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的二極管，其中，在所述第一區(qū)中的碳的至少50%是sp2鍵合的碳，且在所述第二區(qū)中的碳的至少50%是sp2鍵合的碳。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一的二極管，其中，在所述第一區(qū)中的原子的至少50%是元素碳，且在所述第二區(qū)中的原子的至少50%是元素碳。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一的二極管，其中，提供第一區(qū)和第二區(qū)之間的隧穿-勢壘的所述至少一種材料包括至少一種半導(dǎo)體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一的二極管，其中，提供隧穿-勢壘的所述至少一種材料包括耗盡的至少一種半導(dǎo)體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一的二極管，其中，所述第一區(qū)主要包括用雜質(zhì)摻雜的元素碳，且所述第二區(qū)主要包括用雜質(zhì)摻雜的元素碳。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一的二極管，其中，所述二極管被用作存儲器器件中的操縱元件，所述存儲器器件包括：

多個第一導(dǎo)體(206)；

多個第二導(dǎo)體(208)；以及

按交叉點陣列配置在多個第一和第二導(dǎo)體之間配置的多個存儲器單元（200），每個存儲器單元包括：

可逆電阻率-切換元件(202)；以及

所述二極管，用作與所述可逆電阻率-切換元件串聯(lián)的操縱元件(204)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一或權(quán)利要求7或8的二極管，其中，提供隧穿-勢壘的所述至少一種材料包括絕緣體。

10.一種形成二極管的方法，所述方法包括：

形成第一區(qū)，其主要包括元素碳(502)；

形成第二區(qū)，其主要包括元素碳(504)；以及

形成第三區(qū)，其包括提供第一區(qū)和第二區(qū)之間的隧穿-勢壘的至少一種材料(506)。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中，在所述第一區(qū)中的碳的至少50%是sp2鍵合的碳，且在所述第二區(qū)中的碳的至少50%是sp2鍵合的碳。

12.根據(jù)權(quán)利要求10或11的方法，其中，形成所述第一區(qū)和形成所述第二區(qū)包括：

在所述第一區(qū)和所述第二區(qū)中沉積非晶碳；以及

進行熱退火以由所述第一區(qū)和所述第二區(qū)中的非晶碳形成主要sp2鍵合的碳。

13.根據(jù)權(quán)利要求10-12中任一的方法，其中，在所述第一區(qū)中的原子的至少50%是元素碳，且在所述第二區(qū)中的原子的至少50%是元素碳。

14.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一的方法，其中，形成所述第三區(qū)包括在所述第三區(qū)中形成至少一個半導(dǎo)體。

15.根據(jù)權(quán)利要求10-13中任一的方法，其中，形成所述第三區(qū)包括在所述第三區(qū)中形成至少一個絕緣體。

16.一種形成二極管的裝置，所述裝置包括：

形成第一區(qū)的裝置，該第一區(qū)主要包括元素碳(502)；

形成第二區(qū)的裝置，該第二區(qū)主要包括元素碳(504)；以及

形成第三區(qū)的裝置，該第三區(qū)包括提供第一區(qū)和第二區(qū)之間的隧穿-勢壘的至少一種材料(506)。