[發明專利]固定和附加納米活性材料

有效

• 申請號: 201080063592.1
• 申請日: 2010-12-09
• 公開（公告）號: CN102812536A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: Q·尹;X·齊;E·魯伊斯
• 申請（專利權）人: SDC材料公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 彭飛;林柏楠

1.用于將納米活性材料固定到納米載體上的界面，其包含被構造成限制納米活性材料在納米載體表面上的移動的化合物，其中所述化合物是通過納米活性材料與納米載體表面的反應而形成的。

2.權利要求1的界面，其中所述納米活性材料是鉑。

3.權利要求1的界面，其中所述納米載體是氧化鋁。

4.權利要求1的界面，其中所述納米載體包含部分還原的氧化鋁表面。

5.權利要求1的界面，其中所述化合物是鉑氧化鋁金屬化合物或鉑銅金屬間化合物。

6.使用高溫冷凝技術將納米活性材料附加到納米載體上的固定方法，其包括：

a.集合納米活性材料和納米載體；

b.提高納米載體表面上的金屬性質；和

c.形成各納米活性材料和納米載體之間的界面，其中所述界面被構造成限制納米活性材料在納米載體表面上的移動。

7.權利要求6的固定方法，其中所述高溫冷凝技術是電子束、微波、RF或DC等離子體。

8.權利要求6的固定方法，其中所述集合包括：

a.將一定量的催化劑材料和一定量的擔載材料加載到室中；和

b.氣化所述一定量的催化劑材料和所述一定量的擔載材料，由此產生納米活性材料和納米載體。

9.權利要求8的固定方法，其中所述氣化包括：

a.將工作氣體供應到所述室中；和

b.向所述工作氣體輸送能量。

10.權利要求8的固定方法，其中所述集合進一步包括將一定量的銅加載到所述室中。

11.權利要求6的固定方法，其中所述許多納米活性材料各自是鉑。

12.權利要求6的固定方法，其中所述許多納米載體各自是氧化鋁。

13.權利要求6的固定方法，其中所述許多納米載體各自包含部分還原的氧化鋁表面。

14.權利要求13的固定方法，其中所述界面包含鉑氧化鋁金屬化合物或鉑銅金屬間化合物。

15.將納米活性材料附加到納米載體上的方法，其包括使用高溫冷凝技術在納米活性材料與納米載體材料之間形成層。

16.權利要求15的方法，其中所述高溫冷凝技術是電子束、微波、RF或DC等離子體。

17.權利要求15的方法，其中所述使用包括：

a.將催化劑材料和擔載材料加載到室中；和

b.氣化所述催化劑材料和所述擔載材料以產生納米活性材料和納米載體。

18.權利要求17的方法，其中所述使用進一步包括將銅加載到所述室中。

19.權利要求15的方法，其中所述層被構造成限制納米活性材料在納米載體表面上的移動。

20.權利要求19的方法，其中所述層包含鉑氧化鋁金屬化合物或包含鉑銅金屬間化合物。