[發明專利]用于制造（電致）發光的、光活性的和/或電（半）導體的聚合物的方法

無效

• 申請號: 201080061892.6
• 申請日: 2010-11-19
• 公開（公告）號: CN102712742A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 馬蒂亞斯·雷漢;托斯頓·斯科維爾姆;斯特凡·伊梅爾;瑟琳娜·尼克爾
• 申請（專利權）人: 達姆施塔特工業大學
• 主分類號: C08G61/02
• 分類號: C08G61/02;C09K11/06;H01L51/00;H01L51/05;H01L51/42;H01L51/50;H05B33/14
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.用于制造一般性地聚(亞芳基-亞乙烯基)族的半導體聚合物的方法，其特征在于，聚合反應通過具有150nm至700nm的電磁（或顆粒）輻射觸發。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在載體上

a．涂布離析物或單體，

b．光化學地觸發聚合反應，

c．除去剩余的離析物或單體。

3.根據權利要求1至2所述的方法，其特征在于，離析物或單體在-30至－200°C。優選–50°C至–200°C、特別優選–80°C至-200°C、特別是–90°C至–120°C的溫度下涂布和溶解。

4.根據權利要求1至3所述的方法，其特征在于，隨著離析物或單體的涂布或在其之后調整層厚。

5.根據權利要求1至4所述的方法，其特征在于，作為離析物，使用取代的芳香化合物和雜芳香化合物，其中芳香化合物或雜芳香化合物包括結構，如苯基，聯苯基，芴，芪，α-苯基肉桂腈，3-氨基-2,3-二苯基-丙烯腈，α,β-二苯基富馬二腈，噻吩基物，萘基物，三嗪，三唑，噁二唑，吡啶，喹啉。

6.根據權利要求1至4所述的方法，其特征在于，離析物被取代，并且包含基團-H，-CH₃，烷基，烷氧基，芳基，芳氧基；受體如-CN，-SCN，-N⁺(R⁹)₃(例如鹵化物，二氰胺，CN^-，雙(三氟甲基磺酰基)酰胺)；授體如-N(R⁹)_n，其中n＝1至2，帶有

R⁹=H，甲基，乙基，n-丙基，異丙基，1-丁基，2-丁基，叔丁基；

以及

-OR¹⁰或R¹⁰，其中

R¹⁰=線性或分支的烷基(甲基，乙基，n-丙基，iso-丙基，n-丁基，iso-丁基，sec-丁基，叔丁基，n-戊基，iso-戊基，sec-戊基，neo-戊基，1,2-二甲基丙基，iso-戊基，n-己基，iso-己基，sec-己基，n-庚基，iso-庚基，n-辛基，n-癸基，1-壬基，1-癸基)，

R¹⁰=芳基(例如苯基，聯苯基，芴，芘，甲苯基，均三甲苯基，環戊二烯基，萘基，蒽基)，

R¹⁰=雜芳基(例如吡啶基，噻吩基，吡唑基，咪唑基，咔唑基，噁二唑，呋喃基)及其組合。

7.帶有電致發光的聚合物的裝置，其特征在于，所述聚合物由聚(亞芳基-亞乙烯基)組成，其中芳基包括結構，如苯基，聯苯基，芴，芪，α-苯基肉桂腈，3-氨基-2,3-二苯基-丙烯腈，α,β-二苯基富馬二腈，噻吩基物，萘基物，三嗪，三唑，噁二唑，吡啶，喹啉。

8.根據權利要求6所述的裝置，其特征在于，聚(亞芳基-亞乙烯基)的取代基包括結構，如-H，-CH₃，烷基，烷氧基，芳基，芳氧基；受體如-CN，-SCN，-N⁺(R⁹)₃(例如鹵化物，二氰胺，CN^-，雙(三氟甲基磺酰基)酰胺)；授體如-N(R⁹)_n，其中n＝1至2，帶有

R⁹=H，甲基，乙基，n-丙基，異丙基，1-丁基，2-丁基，叔丁基;

以及

-OR¹⁰或-R¹⁰，其中

R¹⁰=線性或分支的烷基(甲基，乙基，n-丙基，iso-丙基，n-丁基，iso-丁基，sec-丁基，叔丁基，n-戊基，iso-戊基，sec-戊基，neo-戊基，1,2-二甲基丙基，iso-戊基，n-己基，iso-己基，sec-己基，n-庚基，iso-庚基，n-辛基，n-癸基，1-壬基，1-癸基)，

R¹⁰=芳基(例如苯基，聯苯基，芴，芘，甲苯基，均三甲苯基，環戊二烯基，萘基，蒽基)，

R¹⁰=雜芳基(例如吡啶基，噻吩基，吡唑基，咪唑基，咔唑基，噁二唑，呋喃基)及其組合。

9.所述裝置用于制造顯示器、LED（也有OLED）、半導體（例如晶體管、OFET）或太陽能電池的應用。