[發明專利]形成用于裝置中的增強表面壁的方法

有效

• 申請號: 201080061353.2
• 申請日: 2010-08-27
• 公開（公告）號: CN102713489A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: R·S·史密斯三世;K·富勒;D·J·庫庫爾卡
• 申請（專利權）人: 里吉迪澤德金屬公司
• 主分類號: F28F3/08
• 分類號: F28F3/08
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 王愛華

1.形成用于裝置中的增強表面壁的方法，該裝置用于執行工藝，該方法包括步驟：

提供具有相對的初始表面的一定長度的材料，所述材料具有基本位于所述初始表面之間的中間的縱向中心線，所述材料具有從所述中心線到在任一所述初始表面上的、位于距所述中心線最遠處的點測量到的初始橫向尺寸，每個所述初始表面具有初始表面密度，表面密度定義為表面上的、每單位投影表面面積的特征的數量；

將具有第二式樣表面密度的第二式樣壓印在每個所述初始表面上，以變形所述材料和增加在每個所述表面上的表面密度，以及增加所述材料從所述中心線到這樣變形的材料的最遠點的橫向尺寸；和

將具有第一式樣表面密度的第一式樣壓印在每個這樣的變形的表面上，以進一步變形所述材料和進一步增加在每個所述表面上的表面密度；

由此提供用于裝置中的增強表面壁，所述裝置用于執行工藝。

2.根據權利要求1所述的方法，其中每個第二式樣表面密度大于每個第一式樣表面密度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二式樣壓印在每個所述初始表面上的步驟包括附加的步驟：

冷加工所述材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第一式樣壓印在每個變形表面上的步驟包括附加的步驟：

冷加工所述材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二式樣是相同的。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述第二式樣相互之間移位，從而使得從所述中心線到一個變形表面的最大尺寸將對應于從所述中心線到另一變形表面的最小尺寸。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二式樣壓印在所述材料上的步驟將所述材料從所述中心線到所述變形的材料的最遠點的最大橫向尺寸增加達到從所述中心線到在所述初始表面上的最遠點的最大橫向尺寸的135%。

8.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二式樣壓印在所述材料上的步驟將所述材料從所述中心線到所述變形的材料的最遠點的最大橫向尺寸增加達到從所述中心線到在所述初始表面上的最遠點的最大橫向尺寸的150%。

9.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二式樣壓印在所述材料上的步驟將所述材料從所述中心線到所述變形的材料的最遠點的最大橫向尺寸增加達到從所述中心線到在所述初始表面上的最遠點的最大橫向尺寸的300%。

10.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二式樣壓印在所述材料上的步驟將所述材料從所述中心線到所述變形的材料的最遠點的最大橫向尺寸增加達到從所述中心線到在所述初始表面上的最遠點的最大橫向尺寸的700%。

11.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二式樣壓印在所述材料上的步驟不減小當從在一個這樣的變形表面上的任意點到在這樣的變形表面的相對一個上的最近點測量時所述材料的最小尺寸低于從所述初始表面的一個上的任意點到在相對的初始表面上的最近點的最小尺寸的95%。

12.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第二式樣壓印在所述材料上的步驟不減小當從在一個這樣的變形表面上的任意點到在這樣的變形表面的相對一個上的最近點測量時所述材料的最小尺寸低于從所述初始表面的一個上的任意點到在相對的初始表面上的最近點的最小尺寸的50%。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一式樣是相同的。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一式樣相對于彼此移位，從而使得從所述中心線到一個進一步變形的表面的最大尺寸將對應于從所述中心線到另一進一步變形的表面的最小尺寸。

15.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第一式樣壓印在所述材料上的步驟不減小當從所述中心線到在進一步變形的表面的任一個上的任意點測量時進一步變形的材料的最小尺寸低于當從所述中心線到任一所述初始表面測量時所述材料的最小尺寸的95%。

16.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第一式樣壓印在所述材料上的步驟不減小當從所述中心線到在進一步變形的表面的任一個上的任意點測量時進一步變形的材料的最小尺寸低于當從所述中心線到任一所述初始表面測量時所述材料的最小尺寸的50%。