[發明專利]用于借助微波生成等離子體的裝置

有效

• 申請號: 201080061090.5
• 申請日: 2010-11-05
• 公開（公告）號: CN103003913A
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: H.米格;K-M.鮑姆格特納;M.凱澤;L.阿爾貝茨
• 申請（專利權）人: 米格有限責任公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧永杰;李家麟

1.用于借助微波生成等離子體用來對襯底進行CVD涂層的裝置，具有反應氣體可被輸送到的真空箱（2）和具有布置在其中的、與用于耦合輸入微波的裝置（6）相連接的電導體（3），其特征在于，電導體（3）在其兩個端部處分別與用于耦合輸入微波的裝置（6）相連接，電導體（3）與電壓源（7）相連接，用所述電壓源（7）可以在電導體（3）和周圍的真空箱（2）之間生成電位差，并且電導體（3）相對于用于耦合輸入微波的裝置（6）電絕緣或脫耦。

2.按照權利要求1的裝置，其特征在于，電導體（3）是連接到冷卻液容器上的空心的導體。

3.按照權利要求1的或權利要求2的裝置，其特征在于，電導體（3）具有棒狀的造型。

4.按照權利要求1的或權利要求2的裝置，其特征在于，電導體（3）具有彎曲的走向。

5.按照以上權利要求之一的裝置，其特征在于，電導體（3）經由穿通濾波器與電壓源（7）相連接。

6.按照以上權利要求之一的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置（6）朝向電導體（3）漏斗狀地展開。

7.按照權利要求6的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置（6）基本上在真空箱（2）之內展開。

8.按照以上權利要求之一的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置（6）部分地或完全地用介電材料（11）充填。

9.按照以上權利要求之一的裝置，其特征在于，用于耦合輸入微波的裝置（6）具有縫隙形的或槽形的凹口（13，15）。

10.按照權利要求9的裝置，其特征在于，在軸向上包圍電導體（3）地布置縫隙形的或槽形的凹口（15）。

11.按照以上權利要求之一的裝置，其特征在于，電導體（3）相對于周圍的真空箱（2）具有負電位或正電位。

12.按照權利要求1至10之一的裝置，其特征在于，可以用高頻交流電壓施加電導體（3）。