[發(fā)明專利]具有受控的熱膨脹系數(shù)的導(dǎo)電性復(fù)合材料無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201080060985.7 | 申請日: | 2010-12-14 |
| 公開(公告)號: | CN102822114A | 公開(公告)日: | 2012-12-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R·托雷西拉斯桑米蘭;O·加西亞莫雷諾;M·A·博雷爾托馬斯;A·費爾南德斯瓦爾德斯 | 申請(專利權(quán))人: | 西班牙高等科研理事會 |
| 主分類號: | C04B35/19 | 分類號: | C04B35/19;C04B38/00;B82Y30/00;C01B31/00 |
| 代理公司: | 余姚德盛專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33239 | 代理人: | 戚秋鵬 |
| 地址: | 西班牙*** | 國省代碼: | 西班牙;ES |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 受控 熱膨脹 系數(shù) 導(dǎo)電性 復(fù)合材料 | ||
1.一種材料,包含:
a.陶瓷成分,以及
b.碳納米細(xì)絲,
其中所述的材料的特征在于其熱膨脹系數(shù)為-6x10-6℃-1至6.01x10-6℃-1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料,其中其進(jìn)一步包含體積百分率低于80%的氧化的或非氧化的陶瓷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的材料,其中所述的陶瓷成分選自Li2O∶Al2O3∶SiO2或MgO∶Al2O3∶SiO2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的材料,其中所述的陶瓷成分為β-鋰霞石或堇青石。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項所述的材料,其中所述的陶瓷成分占最終的材料的體積百分率大于10%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的材料,其中所述的碳納米細(xì)絲為碳納米纖維。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的材料,其中所述的碳納米纖維的直徑為20nm至80nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7中任意一項所述的材料,其中所述的碳納米纖維具有大于100的長度/直徑比。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或8中任意一項所述的材料,其中所述的碳納米纖維具有大于70%的石墨結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任意一項所述的材料,其中所述的氧化的或非氧化的陶瓷選自:碳化物、氮化物、硼化物、金屬氧化物或它們組合中的任意一者。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的材料,其中所述的氧化的或非氧化的陶瓷選自:SiC,TiC,AlN,Si3N4,TiB2,Al2O3,ZrO2和MgAl2O4。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的材料,其中所述的氧化的陶瓷為Al2O3。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的材料,其中所述的Al2O3的粒徑為20nm至1000nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的材料,其中所述的非氧化的陶瓷為SiC。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的材料,其中所述的SiC的粒徑小于10μm。
16.一種獲得根據(jù)權(quán)利要求1至15所述的材料的方法,包括以下階段:
a.將所述的陶瓷成分與所述的納米細(xì)絲在溶劑中混合,
b.使在(a)中所獲得的混合物干燥,
c.使在(b)中所獲得的材料成形,
d.使在(c)中所獲得的材料燒結(jié)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法,其中在階段(a)進(jìn)一步加入氧化的或非氧化的陶瓷。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17中任意一項所述的方法,其中所述的溶劑選自:水、無水醇或它們的組合中的任意一者。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法,其中所述的無水醇為無水乙醇。
20.根據(jù)權(quán)利要求16至19中任意一項所述的方法,其中所述的階段(a)的混合是在100rpm至400rpm間進(jìn)行的。
21.根據(jù)權(quán)利要求16至20中任意一項所述的方法,其中所述的階段(b)的干燥是通過霧化進(jìn)行的。
22.根據(jù)權(quán)利要求16至21中任意一項所述的方法,其中所述的階段(c)的成形是通過冷或熱等靜壓制進(jìn)行的。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法,其中所述的冷等靜壓制是在100至400MPa的壓力下進(jìn)行的。
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