[發明專利]液浸構件、曝光裝置、曝光方法及元件制造方法有效
| 申請號: | 201080060647.3 | 申請日: | 2010-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN102714141A | 公開(公告)日: | 2012-10-03 |
| 發明(設計)人: | 柴崎祐一 | 申請(專利權)人: | 株式會社尼康 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人: | 李今子 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 構件 曝光 裝置 方法 元件 制造 | ||
技術領域
本發明涉及一種液浸構件、曝光裝置、曝光方法及元件制造方法。
本申請發明是根據2010年1月08日申請的美國臨時申請案61/282,255號而主張優先權,并將其內容引入本文。
背景技術
光刻步驟中所使用的曝光裝置中,已知有一種例如透過如下述專利文獻所揭示那樣的液體以曝光用光曝光基板的液浸曝光裝置。
先行技術文獻
專利文獻
專利文獻1:美國專利申請公開第2006/0103817號
發明內容
[發明所要解決的問題]
在液浸曝光裝置中,以在基板等物體上形成著液浸空間的狀態下,例如在使物體以高速移動的情況下,或者在移動長距離的情況下,會有液體流出、或在物體上殘留液體(膜、滴等)的可能性。其結果為,會有產生曝光不良、或產生不良元件的可能性。
本發明的形態的目的在于提供一種可以抑制產生曝光不良的液浸構件、曝光裝置及曝光方法。另外,本發明的形態的目的在于提供一種可以抑制產生不良元件的元件制造方法。
[解決問題的手段]
根據本發明的第1形態,提供一種液浸構件,其以曝光用光的光路由液體填滿的方式在和可移動的物體之間形成液浸空間;且包含:第1板,其配置在光路周圍的至少一部分;第2板,其配置在光路周圍的至少一部分,且包含和第1板的下表面的至少一部分對向的上表面及物體能夠對向的下表面;及回收口,其相對于光路配置在第1板的外側,物體能夠和至少一部分對向,回收來自第2板的上表面所面對的第1空間及第2板的下表面所面對的第2空間的液體的至少一部分。
根據本發明的第2形態,提供一種曝光裝置,其透過液體以曝光用光將基板曝光;且包含第1的形態的液浸構件。
根據本發明的第3的形態,提供一種元件制造方法,其包含如下步驟:使用第2形態的曝光裝置將基板曝光;及將經曝光的基板顯影。
根據本發明的第4形態,提供一種曝光方法,其透過液體以曝光用光將基板曝光;且包含如下步驟:以光學構件的射出面和基板的表面間的曝光用光的光路由液體填滿的方式形成液浸空間;透過液浸空間的液體將來自射出面的曝光用光照射在基板;及從回收口回收來自配置在光路周圍的至少一部分的第1板的下表面和配置在光路周圍的至少一部分的第2板的上表面間的第1空間、及第2板的下表面和基板的表面間的第2空間的液體的至少一部分,該回收口相對于光路配置在第1板的外側,基板能夠和至少一部分對向。
根據本發明的第5形態,提供一種元件制造方法,其包含如下步驟:使用第4形態的曝光方法將基板曝光;及將經曝光的基板顯影。
[發明的效果]
根據本發明的形態,能夠抑制曝光不良的產生。此外,根據本發明的形態,能夠抑制不良元件的產生。
附圖說明
圖1是表示第1實施方式的曝光裝置的一例的概略構成圖。
圖2是表示第1實施方式的液浸構件的一例的側截面圖。
圖3是從下側觀察第1實施方式的液浸構件的一例的圖。
圖4是將圖2的一部分放大的圖。
圖5是將圖4的一部分放大的圖。
圖6是用以說明比較例的液浸構件的模式圖。
圖7是用以說明第1實施方式的液浸構件的模式圖。
圖8是從下側觀察第1實施方式的液浸構件的一例的圖。
圖9是從下側觀察第1實施方式的液浸構件的一例的圖。
圖10是表示第1實施方式的液浸構件的一例的一部分的側截面圖。
圖11是表示第2實施方式的液浸構件的一例的圖。
圖12是用以說明微元件的制造步驟的一例的流程圖。
[符號的說明]
2????基板臺
3????液浸構件
4????控制裝置
6????射出面
21????第1板部
21A上表面
21B下表面
21K??開口
22第2板部
22A上表面
22B下表面
22K??開口
23???支撐機構
23C連結構件
31????供給口
32????回收口
33????多孔構件
33H???孔
50????驅動系統
AE1???外緣區域
Ea????內側邊緣
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





