[發明專利]半導體裝置及使用半導體裝置的電力轉換裝置

有效

• 申請號: 201080060476.4
• 申請日: 2010-01-04
• 公開（公告）號: CN102714217A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發明（設計）人: 白石正樹;森睦宏;鈴木弘;渡邊聰
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/786
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張寶榮

1.一種半導體裝置，通過在半導體基板上將第一導電型的第一半導體層、第二導電型的第二半導體層、具有比所述第二半導體層的載流子濃度低的載流子濃度的第二導電型的第三半導體層、以及第一絕緣膜以各層在法線方向上層疊的方式層疊成所述第二半導體層位于所述第一半導體層及所述第三半導體層之間且所述第三半導體層位于所述第二半導體層及所述第一絕緣膜之間而形成，所述半導體裝置的特征在于，

所述第三半導體層具備多個絕緣柵極，所述多個絕緣柵極配置成相互的間隔為至少寬窄兩種間隔，

所述絕緣柵極在各自的周圍具備第二絕緣膜，

在以窄間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導電型的第四半導體層和第二導電型的第五半導體層，并且，所述第四半導體層的一面側與所述第三半導體層鄰接，所述第四半導體層的另一面側與所述第五半導體層鄰接，

在以寬間隔配置的所述絕緣柵極彼此之間具備第一導電型的第六半導體層，該第六半導體層通過隔著所述第三半導體層的一部分而與所述絕緣柵極分離，且所述第六半導體層與所述第一絕緣膜鄰接，

進而，所述半導體裝置還具備：

第一導電體層，其設在與所述第六半導體層對應的位置上且與該第六半導體層平行，并且通過所述第一絕緣膜與所述第六半導體層絕緣；

第一電極，其與所述第四半導體層、所述第五半導體層、所述第一導電體層電連接；

第二電極，其與所述第一半導體層的與所述第二半導體層相反的一側的面電連接，

第三電極，其與所述絕緣柵極電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一導電體層由多結晶硅構成。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一絕緣膜比所述第二絕緣膜厚。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一絕緣膜的厚度為300nm以上。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第一導電體層延伸到所述第六半導體層與絕緣柵極之間。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第六半導體層比所述第四半導體層深。

7.根據權利要求1至6中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第六半導體層經由電阻機構與所述第一電極電連接。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

所述電阻機構使用所述第六半導體層形成。

9.根據權利要求1至8中任意一項所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第三半導體層與所述第四半導體層之間具備第二導電型的第七半導體層。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述第三半導體層與所述第七半導體層之間具備第一導電型的第八半導體層。