[發(fā)明專利]抗蝕劑底層組合物以及利用其制造半導(dǎo)體集成電路器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201080060221.8
• 申請日: 2010-12-10
• 公開（公告）號: CN102713758A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金美英;金相均;趙顯模;高尚蘭;尹熙燦;丁龍辰;金鐘涉
• 申請（專利權(quán)）人: 第一毛織株式會社
• 主分類號: G03F7/11
• 分類號: G03F7/11;G03F7/075;H01L21/027
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 李丙林;張英

1.一種抗蝕劑底層組合物，包含有機(jī)硅烷縮聚產(chǎn)物和溶劑，所述有機(jī)硅烷縮聚產(chǎn)物包括40mol%至80mol%由以下化學(xué)式1表示的結(jié)構(gòu)單元，

[化學(xué)式1]

其中，在化學(xué)式1中，

ORG選自由包括取代或未取代的芳環(huán)的C6至C30官能團(tuán)、C1至C12烷基、和-Y-{Si(OR)₃}_a組成的組，

其中，R是C1至C6烷基，Y是主鏈中的直鏈或支鏈的取代或未取代的C1至C20亞烷基；或包括選自由亞烯基、亞炔基、亞芳基、雜環(huán)基、脲基、異氰尿酸酯基、以及它們的組合組成的組中的取代基的C1至C20亞烷基，并且a是1或2，并且Z選自由氫和C1至C6烷基組成的組。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述有機(jī)硅烷縮聚產(chǎn)物進(jìn)一步包含由以下化學(xué)式2或化學(xué)式3表示的結(jié)構(gòu)單元：

[化學(xué)式2]

[化學(xué)式3]

其中，在化學(xué)式2和化學(xué)式3中，

ORG選自由包括取代或未取代的芳環(huán)的C6至C30官能團(tuán)、C1至C12烷基、和-Y-{Si(OR)₃}_a組成的組，

其中，R是C1至C6烷基，Y是主鏈中的直鏈或支鏈的取代或未取代的C1至C20亞烷基；或包括選自由亞烯基、亞炔基、亞芳基、雜環(huán)基、脲基、異氰尿酸酯基、以及它們的組合組成的組中的取代基的C1至C20亞烷基，并且a是1或2，并且

Z選自由氫和C1至C6烷基組成的組。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述有機(jī)硅烷縮聚產(chǎn)物是在酸催化劑或堿催化劑存在下利用由以下化學(xué)式4和化學(xué)式5表示的化合物來生產(chǎn)的：

[化學(xué)式4]

[R¹O]₃Si-X

[化學(xué)式5]

[R²O]₃Si-R³

其中，在化學(xué)式4和化學(xué)式5中，

R¹和R²相同或不同，并且各自獨(dú)立地是C1至C6烷基，

R³是C1至C12烷基，并且

X是包括取代或未取代的芳環(huán)的C6至C30官能團(tuán)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述有機(jī)硅烷縮聚產(chǎn)物是在酸催化劑或堿催化劑存在下利用由以下化學(xué)式4至化學(xué)式6表示的化合物來生產(chǎn)的：

[化學(xué)式4]

[R¹O]₃Si-X

[化學(xué)式5]

[R²O]₃Si-R³

[化學(xué)式6]

{[R⁴O]₃Si}_n-Y

其中，在化學(xué)式4至化學(xué)式6中，

R¹、R²和R⁴相同或不同，并且各自獨(dú)立地是C1至C6烷基，

R³是C1至C12烷基，

X是包括取代或未取代的芳環(huán)的C6至C30官能團(tuán)，

Y是主鏈中的直鏈或支鏈的取代或未取代的C1至C20亞烷基；或包括選自由亞烯基、亞炔基、亞芳基、雜環(huán)基、脲基、異氰尿酸酯基、以及它們的組合組成的組中的取代基的C1至C20亞烷基，并且

n是2或3。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的抗蝕劑底層組合物，其中，所述包括取代或未取代的芳環(huán)的C6至C30官能團(tuán)由以下化學(xué)式21表示：

[化學(xué)式21]

*-(L)_m-X¹

其中，在化學(xué)式21中，

L是直鏈或支鏈的取代或未取代的C1至C20亞烷基，其中所述亞烷基的一個或多個碳被選自由醚基（-O-）、羰基（-CO-）、酯基（-COO-）、和胺基（-NH-）組成的組中的官能團(tuán)可選地取代，

X¹選自由取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C7至C20芳基羰基、以及取代或未取代的C9至C20色酮基組成的組，并且

m是0或1。