[發明專利]利用低表面張力的流體防止圖案崩塌的系統和方法有效
| 申請號: | 201080060192.5 | 申請日: | 2010-12-13 |
| 公開(公告)號: | CN102762314A | 公開(公告)日: | 2012-10-31 |
| 發明(設計)人: | 卡特里娜·米哈利欽科;丹尼斯·肖明;馬克·威爾考克森 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | B08B3/04 | 分類號: | B08B3/04 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 利用 表面張力 流體 防止 圖案 崩塌 系統 方法 | ||
1.用于利用低表面張力液體處理和干燥晶片的系統,包括:低表面張力液體源,其包括能夠將所述低表面張力液體加熱到低于所述低表面張力液體的沸點不多于25攝氏度的第一熱源;
用于將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域的輸送機構;以及
被定向到所述氣體/液體交界區域的第二熱源,所述第二熱源能夠將所述氣體/液體交界區域加熱到高于所述低表面張力液體的所述沸點至少2攝氏度。
2.如權利要求1所述的系統,其中所述氣體/液體交界區域在晶片的表面上。
3.如權利要求2所述的系統,進一步包括致動器以移動所述氣體/液體交界區域橫貫所述晶片的所述表面。
4.如權利要求2所述的系統,其中所述第二熱源被定向到所述晶片的正面和背面中的至少一者。
5.如權利要求2所述的系統,其中所述第二熱源包括被定向到所述晶片的正面的前側熱源和被定向到所述晶片的所述背面的后側熱源。
6.如權利要求2所述的系統,其中用于將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域的所述輸送機構包括包含一定數量的已加熱的所述低表面張力液體的儲液器且其中所述氣體/液體交界區域鄰近所述一定數量的已加熱的所述低表面張力液體的表面。
7.如權利要求2所述的系統,其中用于將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域的所述輸送機構包括被定向到所述氣體/液體交界區域的噴嘴,用于在所述晶片的所述表面上噴涂已加熱的所述低表面張力液體。
8.如權利要求2所述的系統,其中用于將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域的所述輸送機構包括能夠在鄰近頭表面和所述晶片的表面之間形成彎液面的鄰近頭,其中所述氣體/液體交界區域是所述彎液面的后緣。
9.利用低表面張力液體漂洗表面的方法,包括:
將所述低表面張力液體加熱到低于所述低表面張力液體的沸點不多于25攝氏度的溫度;
將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域;以及
將所述氣體/液體交界區域加熱到高于所述低表面張力液體的所述沸點至少2攝氏度。
10.如權利要求9所述的方法,其中所述氣體/液體交界區域在晶片的表面上。
11.如權利要求10所述的方法,進一步包括移動所述氣體/液體交界區域橫貫所述晶片的所述表面。
12.如權利要求10所述的方法,其中將所述氣體/液體交界區域加熱到高于所述低表面張力液體的所述沸點至少2攝氏度包括加熱所述晶片的正面和背面中的至少一者。
13.如權利要求10所述的方法,其中將所述氣體/液體交界區域加熱到高于所述低表面張力液體的所述沸點至少2攝氏度包括加熱所述晶片的正面和背面。
14.如權利要求10所述的方法,其中將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域包括將所述晶片浸入包含一定數量的已加熱的所述低表面張力液體的儲液器中且其中所述氣體/液體交界區域鄰近所述一定數量的已加熱的所述低表面張力液體的表面。
15.如權利要求10所述的方法,其中將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域包括被定向到所述氣體/液體交界區域的噴嘴,用于在所述晶片的所述表面上噴涂已加熱的所述低表面張力液體。
16.如權利要求10所述的方法,其中將已加熱的所述低表面張力液體輸送到所述氣體/液體交界區域包括在鄰近頭表面和所述晶片的表面之間形成彎液面,其中所述氣體/液體交界區域是所述彎液面的后緣。
17.用于利用低表面張力液體處理和干燥晶片的系統,包括:低表面張力液體源,其包括能夠將所述低表面張力液體加熱到低于所述低表面張力液體的沸點不多于25攝氏度的第一熱源;
用于將已加熱的所述低表面張力液體輸送到氣體/液體交界區域的輸送機構,其中所述氣體/液體交界區域在晶片的表面上;
被定向到所述氣體/液體交界區域的第二熱源,所述第二熱源能夠將所述氣體/液體交界區域加熱到高于所述低表面張力液體的所述沸點至少2攝氏度,其中所述第二熱源被定向到所述晶片的正面和背面中的至少一者;以及
能夠移動所述氣體/液體交界區域橫貫所述晶片的所述表面的致動器。
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